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产品简介
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概述
作为下一代功率半导体，GaN和SiC因将功率损耗减半和轻量化而备受关注。
SiC功率器件存在晶体缺陷，但通过使用SCM-100解决此问题，可以快速观察和分类。
SCM-100 能够将预编程电流施加到 SiC 样品中晶体管的内置二极管。由于施加电流时电流不流动的部分（缺陷）不发光，因此它是一种可以通过安装在显微镜上的相机拍照来发现缺陷的设备。SiC样品的表面可以用显微镜放大，可见光区域的发射可以用相机监测，以观察原位缺陷的生长情况。可以以*佳间隔拍摄和保存图像。可选的 Pelche 冷却水冷却单元将 SiC 器件样品台的温度保持在 80°C 以下。
特征
- 用相机拍摄 SiC 样品的显微镜图像并将其输出到实时 LCD 上
- SD 卡上*多可保存 999 张照片，拍摄间隔为 3 秒至 24 小时。
- 输出电压、输出电流、状态信息*快可采样0.1秒。
- 一台PC可以控制五个电源并保存数据
- 当输出到 17 英寸 LCD 时，观察倍率约为 60 到 200 倍。
- SiC样品中缺陷生长的原位观察
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