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日本DNK科研曝光机MEMS用光刻机

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更新时间：2023-07-16 13:18:57浏览次数：251次

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塔玛萨崎电子（苏州）有限公司

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产品简介

简单介绍：主要特长采用独自的镜面・镜头光学系统,实现**均匀的照射。配备有可设定非接触・面内均一间隙的间隙传感器和对应多层曝光的显微镜、X・Y・θ轴对位台的对位系统。采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微细移动)能够控制厚膜光刻胶的侧壁倾斜角度,形成三维微细构造体。

详细介绍

详情介绍：

光刻机介绍

曝光装置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ø4″ ～ ø6″

光源超高压水银灯：500W or 1kW

曝光装置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm

光源超高压水银灯：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光装置MA-4000 圆晶尺寸Ø2～4″或者Ø4～6″

光源超高压汞灯：500W 或 1kW

Ø200mm/Ø150 mm 对应曝光装置MA-4301M 材料SI 玻璃， 对齐精度自动对齐：+/- 1 μm（
峰值搜索）

Ø300mm对应曝光装置MA-5301ML 光源超高压汞灯：3.5kW Ø200mm规格也可对应

マスクレス露光装置MX-1201 曝光扫描速度43.94mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光装置MX-1201E 曝光扫描速度22.5mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光装置MX-1205 曝光扫描速度9/4.5mm/s 有效曝光区域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要规格

		MUM系列
掩膜尺寸		Max 9″ x 9″ x t3.0 mm
基板尺寸		Max Φ8″(Wafer)
光源		超高压水银灯：500W or 1kW
外观尺寸及重量	本体尺寸	W2120 x D1305 x H1850 mm
外观尺寸及重量	本体重量	640kg