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SMU数字源表搭建晶圆级微电子材料器件测试系统2024/12/24: 在半导体材料和器件的研究中，电性能测试是不可少的环节。随着半导体技术的提升，微电子工艺逐渐复杂，如何对微电子材料器件进行高效率测试成为业内关注的重点。普赛斯仪表陆续推出多型号国产化数字源表SMU，为进...

SiC GaN三代半功率器件测试挑战及应对测试方案2024/11/20: 功率半导体应用现状随着新能源汽车800V高压快充技术的兴起，SiC凭借其高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率以及高键合能等一系列显著优势，成为功率半导体产业竞相追逐的“风口”。在实际应用中，搭载碳...

smu数字源表与探针台连接示意图及注意事项有哪些？2024/10/30: 1、前言在半导体和集成电路工艺中，材料、晶圆、芯片的测试是不可少的环节。随着半导体测试技术的发展，数字源表SMU结合探针台的系统组合已经被广泛应用于材料/微小器件的电学特性验证中。数字源表SMU具备源...

脉冲电流源测试旁路二极管热性能方案2024/9/13: 热斑效应：太阳能电池一般是由多块电池组件串联或并联起来。串联支路中可能由于电池片内部缺陷或者外部遮挡，将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会严重发热而受损。旁...

SiC/IGBT功率半导体器件应用发展及其测试解决方案2024/8/23: SiC/IGBT功率器件应用发展IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电力控制和电力转换的核心器件,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有高输入...

纳米材料高温原位表征及测试方案2024/8/15: 纳米材料高温原位表征及测试方案通过MEMS芯片在原位样品台内对样品构建精细热场自动调通过MEMS芯片在原位样品台内对样品构建精细热场自动调控及反馈测量系统，并结合TEM/SEM研究材料在不同热场条件下...

基于数字源表的柔性材料形变测试方案2024/7/25: 柔性材料使用过程中形态的反复变化将影响材料的电学性能及寿命。形变测试是柔性材料性能表征的重要手段。测试面临的挑战依赖手动测试，缺乏标准化的测试系统缺少软件,难以实时监测I-V的变化曲线普赛斯提供标准化...

数字源表测试导电水凝胶方案2024/7/22: 导电水凝胶将亲水性基质和导电介质有机结合起来,是一类兼具良好的可加工性、较高柔韧性和优异电化学性能的新型复合水凝胶，是未来柔性电子器件的理想材料。水凝胶电导率测试常用四探针法进行测试，优势在于分离电流...

SMU源表搭建半导体霍尔效应测试实验平台2024/5/29: 本科生微电子器件及材料实验目的通过实验动手操作，加深对半导体物理理论知识的理解，掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能，培养分析问题和解决问题的能力。本科生微电子器件及材料实验目录实验一...

如何用源表测试IC芯片电性能2024/5/13: 芯片测试作为芯片设计、生产、封装、测试流程中的重要步骤，是使用特定仪器，通过对待测器件DUT(DeviceUnderTest)的检测，区别缺陷、验证器件是否符合设计目标、分离器件好坏的过程。其中直流参...

功率半导体测试挑战及应对方案详解2024/5/10: 功率半导体是电子产业链中最核心的一类器件，能够实现电能转换和电路控制作用。功率半导体包括功率半导体分立器件(含模块)以及功率IC等。其中，功率半导体分立器件按照器件结构可分为二极管、晶闸管和晶体管等。...

如何用数字源表简化apd的暗电流测试2024/3/15: 01APD工作原理APD雪崩光电二极管的工作原理是基于光电效应和雪崩效应，当光子被吸收时，会产生电子空穴对，空穴向P区移动，电子向N区移动，由于电场的作用，电子与空穴相遇时会产生二次电子，形成雪崩效应...

数字源表iv扫描测试纳米材料电性能2024/3/8: 01/纳米材料电学性能的表征和分析/与传统的材料相比，纳米材料具有原子级厚度、表面平整无悬空键、载流子迁移率好等优点，其导电性能很大程度依赖于材料本身的带隙、掺杂浓度和载流子迁移率。同样的掺杂浓度下，...

基于SMU数字源表的钙钛矿电池性能测试方案2024/1/24: 1前言“碳达峰、碳中和”背景下，发展新能源成为降低碳排放的第一驱动力。以太阳能为代表的清洁能源在市场上的占比大幅提升，与之对应的太阳能电池同样发展迅速。太阳能电池是一种吸收光能产生电能的半导体光电二极...

半导体电学特性测试系统—CV+IV测试仪2023/12/8: 半导体电学特性测试系统—CV+IV测试仪概述：SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时...

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