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普赛斯仪表推出的IGBT击穿电压测试高压源10ms级的上升沿和下降沿；单台较大3500V的输出；同步电流测量；普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。
产品简介
高电压源测单元具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。
技术指标
电压性能参数：
电压 | 源 | 测量 | ||
量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) |
100V | 10mV | 0.1%±40mV | 10mV | 0.1%±40mV |
600V | 60mV | 0.1%±100mV | 60mV | 0.1%±100mV |
1200V | 120mV | 0.1%±300mV | 120mV | 0.1%±300mV |
1500V | 150mV | 0.1%±400mV | 150mV | 0.1%±400mV |
2200V | 220mV | 0.1%±700mV | 200mV | 0.1%±700mV |
3500V | 350mV | 0.1%±900mV | 350mV | 0.1%±900mV |
电流性能参数：
电流 | 源 | 测量 | ||
量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) |
1uA | 100pA | 0.1%±1nA | 100pA | 0.1%±1nA |
10uA | 1nA | 0.1%±5nA | 1nA | 0.1%±5nA |
100uA | 10nA | 0.1%±50nA | 10nA | 0.1%±50nA |
1mA | 100nA | 0.1%±300nA | 100nA | 0.1%±300nA |
10mA | 1uA | 0.1%±5uA | 1uA | 0.1%±5uA |
100mA | 10uA | 0.1%±10uA | 10uA | 0.1%±10uA |
较大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；
输出电压建立时间：< 5ms；
输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴），支持四线测量；
扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；
通信接口：RS232、以太网；
保护：支持急停；
触发：支持trig IN及trig out；
尺寸：19英寸2U机箱；
应用领域：
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
IGBT击穿电压测试高压源订货信息
型号 | E100 | E200 | E300 |
源精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
测量精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
较大功率 | 120W | 220W | 350W |
最小电压量程 | 100V | 100V | 100V |
较大电压量程 | 1200V | 2200V | 3500V |
最小电流量程 | 1uA | 1uA | 1uA |
较大电流量程 | 100mA | 100mA | 100mA |
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