当前位置：苏州上器试验设备有限公司>>>>Sinton少子寿命测试仪 SunsVoc Mx

Sinton少子寿命测试仪 SunsVoc Mx

参考价

面议

具体成交价以合同协议为准

产品型号

品牌

厂商性质其他

所在地苏州市

在线询价收藏产品查看联系电话

联系方式：查看联系方式

更新时间：2024-03-13 17:39:30浏览次数：284次

联系我时，请告知来自智能制造网

暂无信息

苏州上器试验设备有限公司

经营模式：其他

商铺产品：43条

所在地区：

询价 给他留言

产品简介

对于糊烧的优化和过程控制来说是一台优秀的设备。开路方法表明了太阳能电池前体在结形成之后的数值。

详细介绍

扩散后制程控制

Suns-Voc阶段对于在铝烧，再次前网燃烧之后测量晶片是理想的。这使得这些步骤的优化和监测保持电压，获得良好的欧姆接触，避免分流。

Suns-Voc 的强大应用

通过直接探测p和n区，或者探测金属化层（如果存在），就能测量光－VOC曲线。此曲线可以显示为我们的太阳VOC图或以标准的光伏曲线的形式，光伏曲线可以用来表示分流的特征。整个曲线在开路状态下测量，不受串联电阻的影响。

Suns-Voc系统特性

非常适用于浆料烧结优化和过程控制。开路的方法指出了太阳能电池PN结形成后的上限值。

•硅片台温度控制在25℃

•细点电压探头

•磁探针兼容性、氙灯与中性密度过滤器

•可微调强度范围的高度可调后柱

•显示标准的I-V曲线格式和Suns-VOC曲线

•测量不受串联电阻的影响的理想晶片特性

项目	内容
每次测试报告的参数	开路下的暗IV曲线：材料对效率的限制拟合效率拟合填充因子双二极管分析漏电分析
典型的经过校准的光照范围	0.006-6suns
硅片尺寸，标准配置	上限230mm直径/边沿

项目

内容

每次测试报告的参数

开路下的暗IV曲线：材料对效率的限制

拟合效率

拟合填充因子

双二极管分析

漏电分析

典型的经过校准的光照范围

0.006-6suns

硅片尺寸，标准配置

上限230mm直径/边沿