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Sinton离线晶片少子寿命测试仪 WCT-120

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产品型号

品       牌

厂商性质其他

所  在  地苏州市

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更新时间:2024-03-13 18:23:32浏览次数:210次

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产品简介

WCT仪器展示Sinton的测量和分析技术,包括半标准准稳态光电导系数(QSSPC)测量方法,该方法由Sinton公司在1994年研发。载流子合复寿命经过准确校准的测量方式,广泛应用于太阳能单晶和多晶硅片。

详细介绍

的瞬态光电导技术

QSSPC技术对于监测多晶硅硅片,掺杂剂的扩散,和低寿命样本是理想的技术。这种方法补充了瞬态光电导技术的运用。瞬态光电导技术在这台设备上也是标准的。

QSSPC寿命测量

QSSPC寿命测量也产生隐含的开路电压(与lllumination)曲线,这可以与an1-v曲线在太阳能电池过程的各个阶段进行比较。

优秀的软件数据处理系统

Sinton设备的分析能为每个晶片产生校准载流子注入水平,所以你可以以一个物理上的方式解读寿命数据。每次测量都会显示和记录特定的参数。

WCT系统功能

单击即可锁定晶硅片的关键参数,包括方块电阻、少子寿命、陷阱密度、发射极饱和电流密度和暗电压

制造过程的逐步监测和优化

监测初始材料质量

晶片加工过程中检测重金属杂质

评估表面钝化和发射极掺杂扩散

使用隐含V测量评估过程引起的分流

项目 内容
测量参数 少子寿命、电阻率、发射极饱和电流密度、陷阱浓度、标准太阳下Voc
寿命测量范围 100nm-10ms
测量(分析)模式 QSSPC,瞬态和归一化寿命分析
电阻率测量范围 3-600(未掺杂)Ohms/sq
可得到的偏压范围 0-50suns
可得到的光谱 白光和红外光
感应范围 直径40mm
样品尺寸,标准配置 标准直径:40-230mm
硅片厚度范围 10-2000um

关键词:电阻率
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