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苏州芯矽电子科技有限公司
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| 非标定制 | 根据客户需求定制 |
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晶圆化学镀设备专为半导体封装与TSV（硅通孔）工艺设计，通过化学置换或电镀技术实现晶圆级金属化镀层（如铜、镍、银）。设备采用高精度旋转喷淋系统，搭配脉冲电镀电源与闭环液温控制（±0.5℃），确保镀层厚度均匀性（≤3%）及高致密性。兼容6-12吋晶圆，支持多片联排处理，适用于RDL（重布线层）、微凸点电镀及3D封装TSV填充。集成在线AOI检测与废液自动回收系统，符合Class 10洁净标准，提
晶圆化学镀设备是半导体封装（如TSV、扇出型封装、HBM）及晶圆级金属化工艺的关键设备，通过化学置换、电镀或电化学沉积技术，在晶圆表面形成高均匀性、高附着力的金属镀层（如铜、镍、银、锡等）。其核心价值在于解决传统物理气相沉积（PVD）的台阶覆盖不足问题，实现深孔（如TSV孔径<5μm）、窄缝（如RDL线宽<2μm）的精准金属化，为3D封装、异构集成提供关键技术支持。
| 关键参数 | 技术指标 |
|---|---|
| 兼容晶圆尺寸 | 6-12吋（200mm-300mm），支持多片联排处理（如8吋×6片/批） |
| 镀层类型 | 铜（Cu）、镍（Ni）、银（Ag）、锡（Sn）等，膜厚10nm-100μm可调 |
| 均匀性 | ±3%（全域，X/Y/θ方向），边缘效应<5% |
| 沉积速率 | 0.1-5μm/min（可调），支持高速电镀（如铜镀速>1μm/min） |
| 温度控制 | 液温精度±0.3℃（PID加热+冷却循环），避免镀层应力缺陷 |
| 洁净等级 | Class 10（ISO 14644），配备HEPA过滤与腔体自清洁功能 |
| 自动化接口 | SECS/GEM通信协议，支持MES系统对接，兼容机械手臂上下料（如FOUP/FOSB载具） |
旋转喷淋技术：采用行星式旋转喷淋头（Speed≠Flow控制算法），确保镀液均匀覆盖晶圆表面，解决深孔底部金属填充难题。
脉冲电源技术：高频脉冲电流（频率1-10kHz）优化晶粒取向，提升镀层致密性与附着力，适用于高深宽比结构（如10:1 TSV孔）。
化学镀液管理：
在线成分监测：集成电导率/pH传感器，实时监控镀液浓度并自动补液，延长换槽周期至2000小时以上。
废液回收系统：金属离子回收率>95%，配合离子交换树脂与电解再生技术，降低危废成本50%。
温控与应力控制：
三区独立控温：腔体、镀液、晶圆载台分别控温，消除热膨胀系数差异导致的应力损伤。
低温电镀工艺：支持室温至60℃工艺窗口，避免高温对光刻胶或临时键合材料的热损伤。
核心工艺：
TSV填充：铜电镀填充硅通孔（孔径5-20μm），支持高深宽比（>15:1）无空洞沉积。
RDL重布线层：镍/银镀层用于晶圆背面金属布线，线宽/线距可达2μm/3μm。
凸点下金属层（UBM）：焊料镀覆（如锡银合金），厚度均匀性±2%以满足植球工艺需求。
TSV铜柱填充：高速电镀实现单次填充>10μm厚铜层，良率>99.9%。
行业适配：
车规级芯片：满足AEC-Q200认证要求，支持高温耐久性镀层（如镍磷合金）。
HBM高带宽内存：超薄晶圆（厚度<50μm）电镀，抗弯翘设计避免碎片。
Fan-out封装：大面积晶圆级电镀（如12吋×10片/批），支持多材质（硅、玻璃）载板。
定制化选项：
根据工艺需求选择镀液类型（酸性/碱性铜镀液）、电源模式（直流/脉冲）及腔体材质（PFA/PTFE防腐蚀）。
可选配真空密封腔体（防止气泡缺陷）、激光测厚仪（实时监控膜厚）或AI工艺优化模块。
售后支持：
工艺调试：原厂工程师驻场优化电流密度、镀液配比及温湿度参数。
耗材供应：提供长效滤芯、阳极钛篮、专用化学品（如铜光剂、加速剂）原厂配件。
维护保障：定期腔体清洁与校准服务，延长设备寿命至10年以上。
晶圆化学镀设备通过高精度电镀、智能化液控与洁净设计，适配封装对金属化工艺的严苛要求，是提升芯片集成度与可靠性的核心装备。
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