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北京励芯泰思特测试技术有限公司
北京励芯泰思特测试技术有限公司
| 三极管类型 | 动态参数 | 电压 | 1200v |
|---|
LX9600分立器件动态参数测试系统是由北京励芯泰思特测试技术有限公司自主研制、开发、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备, 通过使用不同类型的测试头对半导体器件进行非破坏性瞬态测试。用于MOSFET、IGBT、快恢复二极管、双极型三极管的动态参数测试。测试原理符合相应的国家标准、国家标准，系统为模块化、开放式结构，具有升级扩展潜能。
测试能力
测试电压：600V/150A (可扩展到1200V/150A)
时间测量精度：最小1nS
实时漏极电流监测
电流能力可根据用户需求适当扩展
配置测试头
阻性开关时间特性测试头
感性开关时间特性测试头
栅电荷量测试头-N
栅电荷量测试头-P
二极管Trr/Qrr测试头
雪崩耐量测试头
双极型三极管测试头
系统特点
◆ 测试头可更换适用于不同参数测试
◆ 测试头可根据用户需求更换或者扩展
◆ 自动化测试不同参数
◆ PC机为系统的主控机
◆ 可为用户提供丰富的测试适配器，为用户定制专用测试电路
◆ 菜单式测试程序编辑软件操作简便
◆ 自动保存测试波形和数据表单
◆ 可编程分BIN功能，Prober接口、Handler接口可选
◆ 泰克高带宽数字化示波器，最小时间测量分辨率400pS
◆ 正负高速脉冲激励源
◆ 漏极电压达600V
◆ 漏极电流达150A
◆ 通过IEEE488接口连接校准数字表传递国家计量标准对系统进行校验
安全特性
测试舱门与高压互锁保护
极短测试脉冲以及过流监控
高速漏极开关保护
测试参数
开关时间测试（Switching Time）
用于测量N或者P沟道MOSFET的开关时间特性，符合标准MIL-STD-750，Methode 3472对功率MOSFET器件的测试方法，测试参数为：
开启时间Td(on)； 关断时间Td(off)；
上升时间Tr； 下降时间Tf；
延迟时间Td； 存储时间Ts； （BJT）（选配）
备注：可用于测试IGBT，双极型晶体管，可以给用户提供定制或特殊的测试适配器。
功率整流器二极管测试（Trr/Qrr）
测试电路符合标准MIL-STD-750，Methode 3473，采用双脉冲方法进行测试：
二极管反向恢复时间Trr
二极管反向恢复电荷Qrr
二极管反向恢复电流变化率di/dt
二极管反向恢复电压变化率dv/dt（选配）
栅电荷测试（Gate Charge Test）
测试电路符合标准MIL-STD-750，Methode 3471，ConditionB。测试系统具备可编程高阻抗漏极恒流源负载，用于测试：
栅极总电荷Qg(on)
栅源充电电量Qgs
栅漏充电电量Qgd等参数
栅极开启电荷量Qgs（th）（选配）
栅极平台电压Vpl（选配）
N/P沟道测试可选
雪崩能量测试
可测单脉冲雪崩能量EAS、重复脉冲雪崩能量EAR；
可测试雪崩电压：MAX 2000V
漏极施加瞬态电流：IDS MAX 200A
输出能量:10J
配备程控电感箱：0.01mH～159.9mH，程控,连续或步进（最小步进0.01mH）可调；
技术指标
1、栅极电压(Gate Voltage)
量程 | 分辨率 | 精度 |
| 61µV | 0.1%reading+0.05%full range |
| 6.1µV | 0.1%reading+0.05%full range |
2、高压源(VDD Supply)
量程 | 分辨率 | 精度 |
| 0.1V | 0.5%reading |
3、恒流源负载(Current Regulator)
量程 | 分辨率 | 精度 |
| 0.1A | reading±0.35A |
50A~100A | 0.1A | reading±0.75A |
100A~150A | 0.1A | reading±1.00A |
4、测量单元(VM)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±10V | 61µV | 0.1%reading+0.05%full range |
±20V | 122µV | 0.1%reading+0.05%full range |
5、 脉冲源
脉冲幅度： 5Vpp～20Vpp (可编程)
脉冲边沿：≤5nS （典型值 Tr/Tf@20V）
脉冲宽度：1μS～100μS (可编程)
6、 时间测量 （同示波器指标）
带宽：350MHz
最小时间测量分辨率：400pS
体积：177（高）*60（宽）*128（深）cm
重量：150公斤
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