北京志达恒业半导体科技中心
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09-16 2011低压小功率逆变电源已经被广泛应用于工业和民用领域。特别是新能源的开发利用,例如太阳能电池的普遍使用,需要一个逆变系统将太阳能电池输出的直流电压变换为220V、50Hz交流电压,以便于使用。本文给出了一种用单片机控制的正弦波输出逆变电源的设计,它以12V直流电源作为输入,输出220V、50Hz、0~150W的正弦波交流电,以满足大部分常规小电器的供电需求。该电源采用推挽升压和全桥逆变两级变换,前后级之间*隔离。在控制电路上,前级推挽升压电路采用SG3525芯片控制,采样变压器绕组电压做闭环反馈;逆
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06-20 2011绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是继双极晶体管(GTR)和MOSFET后的新一代功率半导体分立器件,其综合GTR和MOSFET的优点,具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点,广泛应用于小体积、率的变频电源、电机调速、UPS以及逆变焊机当中,是目前发展zui为迅速的新一代功率器件。国内IGBT产业需求明确,市场增长空间广阔由于下游各细分应用市场需求的快速增长,我国已成为zui大的功率半导体器件消费国。根据赛迪顾问统计,2009年我国功率半导体器件市场规模已达到1215.3亿元,200
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06-16 2011新型电力半导体器件的代表,IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才,我国都处于的落后状态。应当认识到,电力半导体器件和集成电路在国民经济发展中地位同样重要,因此,政府应该对IGBT产业予以大力扶持。*,电力电子技术可以提高用电效率,改善用电质量,是节省能源的技术。当今以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的新型电力半导体器件是高频电力电子线路和控制系统的核心开关元器件,它的性能参数将直接决定着电力电子系统的效率和可靠性。IGBT已成为新型电力半导体器件的代表性器件,对大功率高频电力电
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06-13 2011IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件。它既有易于驱动、控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的显着优点。在节能市场领域获得较为广泛的应用。从消费电子,到工业控制都能见到IGBT身影。在众多应用领域的带动下,IGBT已经成为功率器件家族中的新兴力量。投资逻辑:我们建议从战略角度来看待中国IGBT行业的投资机会。我们认为,中国IGBT市场未来五年将保持复合25%以上增速增长,而未来本土企业的技术创新将凸显投资价值。革命性、必要
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06-01 2011绿色经济中的新能源、高铁、电动汽车、智能电网这些产业或产品中,无一例外的出现IGBT(绝缘栅双极型功率管)的身影,IGBT是它们*的功率“芯脏”。大功率、高耐压、节能效果好等特点决定了IGBT是目前也是未来相当长一段时间内功率半导体的主流技术。市场前景广阔新能源、高铁、电动汽车等绿色经济产业在未来十年甚至更长的时间里将保持每年20-30%的高速增长,发展绿色经济成为各个主要经济体的共识。作为绿色经济的功率“芯脏”,IGBT市场发展前景一片光明。进口替代空间巨大目前IGBT的国内主要供应商都是外国
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