金升阳 一款专为SiC MOSFET设计的DC-DC模块电源 返回列表页

       SiC MOSFET具有耐高压、低功耗、高速开关的特质，极大地提升了太阳能逆变器的电源转换效率，拉长新能源汽车的可跑里程，应用在高频转换器上，为重型电机、工业设备带来高效率、大功率、高频率优势。。。。。。。据调查公司Yole developmet统计，SiC MOSFET现有市场容量为9000万美元，估计在2013-2020年SiC MOSFET市场将每年增长39%。由此可预见，SiC即将成为半导体行业的新宠！

SiC MOSFET对比Si IGBT主要有以下优势：

       低导通电阻RDS（ON），使SiC MOSFET具有优越的正向压降和导通损耗性能，更适应高温环境下的工作；

       优良的输入特性，即SiC MOSFET拥有低栅极电荷，具备的切换速率；

       宽禁带宽度材料，SiC MOSFET具有相当低的漏电流，更适应在高电压环境中的应用；

       日前，MORNSUN与SiC MOSFET企业合作，打造了一款SiC MOSFET专用的隔离转换DC-DC模块电源--QA01C。

       QA01C在效率高达83%的情况下，具有不对称+20VDC/+100mA、-4VDC/-100mA输出，满足SiC MOSFET的可靠开启及关断要求。低至3.5pF的隔离电容，允许QA01C工作在高频应用中，不被重复充放电拖慢工作频率。3500VAC高隔离耐压，减少了高压总线对低压控制侧的干扰。220uF大容性负载使得QA01C具有瞬时驱动大功率特性，更好地应对SiC MOSFET对高频开关的要求。

       目前，QA01C系列已经通过了UL/CE/CB60950认证，产品可靠性已经得到了机构的认可。

产品特点：

● 隔离电容3.5pF

● 高隔离电压3500VAC

● 不对称驱动电压：输出电压+20/-4VDC

● 输出电流+100/-100mA

● 大容性负载220uF

● 效率高达83%

● 工作温度范围: -40℃ ~ +105℃                                  

● 可持续短路保护

原文地址：/news/NewDetail.aspx?id=282&channelid=62