(测定三氯氢硅中痕量磷仪器GC3900)
一、 前言
半导体硅材料中磷含量的高低，直接影响器件的电性能。随着硅材料研究及生产的不断提高，对于原材料三氯氢硅中磷的测试灵敏度、速度、准确度提出高要求。
三氯氢硅中杂质磷的分析，传统的方法为将杂质磷转变成磷钼杂多酸，再还原成磷钼蓝进行比色测定。在此基础上后来有改进，诸如经苯肟酮或硫氰化铵比色测定钼，或利用化学光谱法测出钼量进而间接换算出磷含量；取样量等。虽然在灵敏度上有提高，但都要经过使磷形成磷钼杂多酸这一过程。为要形成稳定的络合物来分离基本和消除杂质干扰，化学分离手续相当繁杂，分析时间长，而且，测定灵敏度也不能满足生产上的要求。
滕州瑞能分析仪器有限公司 为了提高三氯氢硅中杂质磷分析灵敏度和速度，相关科研人员为此做了大量工作，并取得了成绩。例如，有专家采用气相色谱法测定了三氯氢硅中以PCL3与POCL3形式存在的磷含量。然而，三氯氢硅中杂质磷还可能以其他形式存在(例如，PCL5、PSCL3)，因此，欲采用气相色谱法测定总磷含量，首先要保证样品中以各种形式存在的磷都能从分离柱中流出，这无疑是一项很艰巨的工作，至今尚未见到报道。又例如，有专家采用“ICP—MS”法测定三氯氢硅中痕量杂质磷，测试方法虽然简捷，遗憾的是，测定灵敏度下限仅为0.3PPb，不能满足多晶硅生产工艺对三氯氢硅中杂质磷的分析要求(工艺要求三氯氢硅中杂质磷含量应小于0.1PPb)。

二、滕州瑞能分析仪器有限公司研制出测定三氯氢硅中痕量磷仪器“高温氢还原—火焰光度气相色谱仪”。
针对上述现状，我们瑞能工程师经过多年的经验，与大量的切合实战分析，研制出测定三氯氢硅中痕量磷仪器“高温氢还原—火焰光度气相色谱仪”。进几年瑞能已在国内硅行业多个生产厂家得到应用，与价格昂贵的“ICP-MS”法比较有廉价实用，快速测定，痕量(≤0.06PPb)分析，耗材低等特性。对于快速反应指导三氯氢硅生产工艺，加提纯硅产品，为社会提供优质的单晶硅产品，是我们瑞能公司推出此套分析仪器的宗旨，也是您可信赖的合作伙伴。

三、GC3900仪器的特点和指标
1、 所测三氯氢硅中杂质磷含量为总磷含量；
2、 三氯氢硅中杂质磷含量测定下限为0.06PPb；
3、 测定手续简便只需用注射针筒向仪器注入三氯氢硅即可；
4、 测定周期短，自注入三氯氢硅到测出*峰高(或面积)需时20分钟；
5、 仪器结构简洁、直观，便于使用和维修。