四探针电阻率测试仪（单电）半导体材料测试仪器主要用于测量半导体的电阻、方阻和电阻率等参数，如硅片、化合物半导体等。陶瓷材料测试仪器则用于测量陶瓷材料的电阻、方阻和电阻率等参数，如氧化铝、氮化硅等。金属材料测试仪器则用于测量金属材料的电阻、方阻和电阻率等参数，如铜、铝等。四探针电阻率测试仪（单电）四探针测试仪测量半导体的电阻、方阻和电阻率等参数，以确保半导体的质量和性能符合要求。在陶瓷制造行业中，可以使用陶瓷材料测试仪器测量陶瓷材料的电阻、方阻和电阻率等参数，以优化陶瓷材料的配方和生产工艺。

技术参数：

1.电阻率：10-5～2×106Ω-cm
2.电   阻：10-5～2×106Ω

3.电导率：5×10-6～105ms/cm

4.分辨率： 小0.1μΩ测量误差±（0.05%读数±5字）

5.测量电压量程： 2mV   20mV  200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）

6.分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV

7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。
量程：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，1000mA, 误差：±0.2%读数±2字

8.显示方式：液晶显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算

9.传感器压力：200kg  (其他规格可以定制)

10.粉末测量装置 模具：内径10mm；高：25mm；

加压方式：手动液压加压/自动加压方式（选购）

11.电源：220±10% 50HZ/60HZ

12.主机外形尺寸：330mm*350mm*120mm

13.净重量：约6kg

导电电阻率测试仪功能介绍：本仪器采用四端测量法适用于碳素粉末厂、焦化厂、石化厂、粉末冶金厂、高等院校、科研部门，是检验和分析粉末样品质量的一种重要的工具。本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.使用薄膜按键开关面板，操作简单，耐用，符合人体工学操作规范. 提供中文或英文两种语言操作界面

8.1.1对十组测量数据中的每一组,用式(2)计算探针间距S, ,S2,,Sy

S = [(C, + D,)/2]-[(A, +B,)/2]

S,=[(E, + Fj)/2]-[(C, +D,)/2]

.....-(2)

S,,=[(G, +H,)/2]-[(E; +F;)/2]

式中:

S,~S,,--探针间距,单位为厘米(cm);

A~H一一探针压痕的点位,见图6所示,单位为厘米(cm);

脚标j一组数,取1到10。

8.1.2用式(2)得到的S,计算每一间距平均值S，如式(3):

-(0)s

………--………(3)

式中:i取 1,2,3.

8.1.3将按式(3)计算得到的S,和按式(2)计算得到的S。,利用式(4)分别计算3个间距的试样标准

偏差a

・/÷[∑<s„-)’]+

....…...……(4)

8.1.4计算平均探针间距S,如式(5):

s=/(++)

...……………(5)

8.1.5计算探针系数C和适用于圆片测量时的探针间距修正因子F„,分别如式(6)和式(7):

C-

2x

…………----*(6)

京+¯+s¯s+S

1

F,=1+1.082[1-(/)

.......-.-*****……(7)

8.2利用7.1.3~7.1.4测量的数据计算模拟电路测量的平均电阻r和标准偏差o。

8.2.1如果采用直接测量电阻,用单个正向和反向电阻(无论是计算结果或是测量结果)均按式(8)计

算平均电阻,否则按8.2.2计算模拟电路的正向电阻r,及反向电阻r,:

…………---…(8)

式中:

r-10个模拟电路的正向电阻r,及反向电阻r,中的任意一个值.

8.2.2根据测量值计算模拟电路的正向电阻r,及反向电阻r,如式(9):

--中厚度修正系数F(W/S)表格范围增加;

一按中文格式分直排四探针法、直流两探针法进行编排。

本标准代替GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和GB/T 1552-1995《硅、锗

单品电阻率测定直排四探针法》。

本标准与GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995相比，主要有如下变化:

一一删除了锗单晶测定的相关内容;1范围

本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法.

本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍

的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的硅单晶圆片的电阻率。

本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1X10-Ω・cm~3X10' Ω.cm.

2环境要求

环境温度为23℃±1℃,相对湿度不大于65%。

3干扰因素

3.1光照可能严重影响观察电阻率,特别是近似本征材料。因此,所有测试应在暗室进行,除非是待测

样品对周围的光不敏感。

3.2当仪器放置在高频于扰源附近时,测试回路中会引入虚假电流，因此仪器要有电磁屏蔽。

3.3试样中电场强度不能过大,以避免少数载流子注入。如果使用的电流适当,则用该电流的两倍或

一半时,引起电阻率的变化应小于0.5%。

3.4由于电阻率受温度影响,一般测试适用温度为23℃±1 ℃.

3.5对于厚度对测试的影响,仲裁测量要求厚度按本方法的6.3规定测量,一般测量用户可以根据实

际需要确定厚度的要求偏差。

3.6由于探针压力对测量结果有影响,测量时应选择合适的探针压力。

3.7仲裁测量时选择探针间距为1.59mm,非仲裁测量可选择其他探针间距。

4方法提要直排四探针测量示意图

5测量仪器

5.1探针装置由以下几部分组成。

5.1.1探针用钨,碳化钨或高速钢等金属制成,针尖呈圆锥型,夹角为45°~150*初始标称半径为

25 μm~50 μm。

5.1.2探针压力,每根探针压力为1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分别用于硅单晶棒的电阻率测

量,也可选择其他合适的探针压力。

5.1.3绝缘性,一探针(包括连接弹簧和外部引线)与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于

10’Ω.

5.1.4探针排列和间距,四根探针的应成等间距直线排列。仲裁测量时,探针间距(相邻探针之间

的距离)标称值应为1.59mm。其他标称间距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁测量,探针间距按7.2

测定。

5.1.5探针架,能在针尖几乎无横向移动的情况下使探针下降到试样表面.