当前位置：北京瑞达利电子科技有限公司>>自产（可控硅&二极管）模块、整流桥>>MTQ单相全控桥>> MTQ系列单相全控桥
| 特点 | 典型应用 | 说明 | |
| ● 芯片与底板电气绝缘 | ● 直流电机励磁电源 | ● VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+200V | |
| ● 标准封装 | ● 各种整流电源 | ● 除非另作说明，IGT、VGT、IH、VTM、VFM、VISO为常温测试值， | |
| ● 氮气保护焊接结构，优良的温度特性和功率循环能力 | ● 直流电源 | 表中其他参数皆为在Tjm=125 oC(可控硅)或Tjm=150 oC(二极管)下测试值。 | |
| ● 安装简单，使用维修方便 | ● 电机软启动 | ● I2t=I2FSM × tw/2，tw=正弦半波电流底宽， | |
| ● 体积小，重量轻 | ● 逆变电焊机 | 在50HZ下，I2t(10ms)=0.005I2FSM (A2S)。 | |
| ● zui高工作结温达150oC | ● 电池充电直流电源 | ||
| ● 正向压降小 | ● 开关电源的输入整流 | ||
| ● 软启动电容器充电 | |||
MDQ 单相整流桥 |  | MFQ 单相半控桥 |  | MFQ(X) 单相半控桥 (带续流二极管) |  | MFQ(Z) 单相半控桥 (可控硅在同一侧) |  | MTQ 单相全控桥 |  |
| MTQ 单相全控桥 |
Type | Io (A) | VDRM VRRM | IDRM IRRM | ITAV (A) | ITSM | VTM | @ITM | IGT | VGT | IH | dv/dt | di/dt | Rjc | VISO | VT0 | rT | SA | outline | Type |
@TC =100 oC | (V) | (mA) | @TC =100 oC | (KA) | (V) | (A) | (mA) | (V) | (mA) | (V/us) | (A/us) | (oC/w) | (V) | (V) | (mΩ) | (cm2) | |||
| MTQ 40 | 40 | 600-1800 | 8 | 20 | 0.60 | 1.45 | 60 | 50 | 1.0 | 60 | 800 | 50 | 0.55 | 2500 | 0.80 | 10.8 | 1200 | TQ2 | MTQ 40 |
| MTQ 60 | 60 | 600-1800 | 10 | 30 | 0.90 | 1.45 | 90 | 50 | 1.0 | 60 | 800 | 50 | 0.32 | 2500 | 0.80 | 7.22 | 2000 | TQ5 | MTQ 60 |
| 参数符号说明 | |||||
| di/dt 通态电流临界上升率 | dv/dt 断态电压临界上升率 | I2t 电流平方时间积 | IDRM 断态重复峰值电流 | IGT 门极触发电流 | IH 维持电流 |
| IRRM 反向重复峰值电流 | IFAV 正向平均电流 | ITAV 通态平均电流 | IFM 正向峰值电流 | ITM 通态峰值电流 | IFSM 正向不重复浪涌电流 |
| ITSM 通态不重复浪涌电流 | rF 正向斜率电阻 | rT 通态斜率电阻 | Rjc 结壳热阻 | SA *散热面积 | TC 壳温 |
| Tjm zui高结温 | VDRM 断态重复峰值电压 | VDSM 断态不重复峰值电压 | VGT 门极触发电压 | VISO 绝缘电压 | VRRM 反向重复峰值电压 |
| VRSM 反向不重复峰值电压 | VFM 正向峰值电压 | VTM 通态峰值电压 | VFO 正向门槛电压 | VTO 通态门槛电压 | outline 外形 |
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