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聊聊西门子缓冲电阻2024/3/1
简介：缓冲电阻是一种阻值较大的电阻器，主要用于电路中的过渡性连接，作为电路中与电源的接口。缓冲电阻具有较高的电阻值和精度，能够提供稳定的电阻值，使电路能够正常工作。作用：平衡电压波动：变频器控制系统的...
CM200DU-24H三菱IGBT模块适用于哪些地方2016/6/27
CM200DU-24H三菱IGBT模块，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通...
IGBT模块驱动及保护技术2016/4/29
1引言IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内...
IGBT模块过流保护的两种情况介绍2015/9/15
生产厂家对IGBT模块提供的安全工作区有严格的限制条件，且IGBT模块承受过电流的时间仅为几微秒，耐过流量小，因此使用IGBT模块首要注意的是过流保护。产生过流的原因大致有：晶体管或二极管损坏、控制与...
可控硅与晶闸管的区别及发展应用2015/8/13
可控硅模块属于功率器件领域，是一种功率半导体开关元件，又叫做晶闸管，可控硅是简称。按其工作特性，可控硅可分为单向可控硅(SCR)和双向可控硅(TRIAC)。可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体...
IGBT模块的散热技术发展2015/4/15
IGBT模块散热技术散热的过程1IGBT在结上发生功率损耗;2结上的温度传导到IGBT模块壳上;3IGBT模块上的热传导散热器上;4散热器上的热传导到空气中。散热环节影响散热程度影响因数解决办法1总发...
简单分析晶闸管损坏的原因2014/12/4
晶闸管是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上*晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极...
IGBT模块的分类2014/10/9
研发进展IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在...
富士功率模块选型简介2014/7/16
富士功率模块选型简介一、PIM模块为了降低变频骆的成本，并减少变频器的尺寸。寓士电机和欧派克采用PIM模块结构。包括三相全波整流和6—7个IGBT。即变频器的主回路全部安装在一个模块上，在小功率变频器...
IGBT原理，作用，运用2013/10/31
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOS...
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