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供应三菱铁路机车IGBT模块CM1500HC-66R

参   考   价: ¥ 18888

订  货  量: ≥1台

具体成交价以合同协议为准

产品型号:CM1000HC-66R

品       牌: 三菱

厂商性质:经销商

所  在  地:北京市

更新时间:2024-05-15 10:19:11浏览次数:662

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封装 HVIGBT
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三菱大功率IGBT模块
4500V高压IGBT模块CM900HC-90H
3300V高压IGBT模块CM1200HB-66H
HVIPM模块PM1200HCE330-1

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高压IGBT晶体管模块CM1500HC-66R

3300v高压IGBT模块CM1500HC-66R

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轨道车辆中广泛采用IGBT模块构成牵引变流器以及辅助电源系统的恒压恒频(CVCF)逆变器。国外的地铁或轻轨车辆辅助系统都采用方案多样的IGBT器件。
动车组中,主变流器的开关使用耐压高达6500V/600A的IGBT器件,辅助变流器采用开关频率为1950Hz的PWM技术,由3台双IGBT和相关反并联二极管组成,每台双IGBT组成三相中的一相

轨道交通电力牵引供电制式有直流和交流两类。北京京诚宏泰科技有限公司
直流有600V、750V、1500V、3000V等电压等级。一般DC1500V采用架空接触网供电方式,而DC750V采用第三轨供电方式。
交流电压供电网络有6.25kV, 15kV, 25kV等电压等级。电气化的供电系统由发电厂集中提供电能,经变电站,通过高压输电线(110kV)传给牵引变电所,转变为相应电压到接触网上,供给沿线运行的电力机车。
铁路牵引是三菱电机HVIGBT的主要应用领域之一,同时,三菱电机拥有自己的牵引变流器企业,对HVIGBT在该领域的应用有相当经验,所以我们可以为客户提供很好的支持。三菱电机有1.7kV、3.3kV、4.5kV和6.5kV的HVIGBT,满足不同电压等级的应用




三菱电机面向动车组牵引变流器的HVIGBT模块


三菱电机基于高可靠性、高鲁棒性及低损耗设计了X系列HVIGBT,在H系列和R系列相同封装的基础上,进一步扩展了电流等级。
X系列HVIGBT芯片采用了表面电荷控制(SCC)技术,该技术使HVIGBT模块具有出色的湿度鲁棒性,如图11.14所示。在传统结构中,由于芯片终端覆盖有绝缘层,因此没有释放表面电荷的路径。然而,在采用SCC技术的终端结构中,表面电荷可以通过半绝缘层泄放,表面电荷不会对芯片终端电场产生不利影响。因此,即使有凝露,也能保持优良的阻断电压特性。北京京诚宏泰科技有限公司

X系列HVIGBT利用了第7代芯片的优势,IGBT采用了CSTBT (III)(Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor)芯片技术,续流二极管采用RFC (Relaxed Field of Cathode)结构。这两种芯片技术可以实现通态损耗、开关损耗的降低和增强的开关性能,同时扩展了鲁棒性、低损耗和SOA这三项技术边界。其饱和压降和反并联二极管的正向压降与H系列HVIGBT相比 北京京诚宏泰科技有限公司

对于动车组,推荐的HVIGBT型号如下:

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对于地铁或轻轨,推荐的HVIGBT型号如下

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三菱电机面向城市轨道交通的HVIGBT模块


不同于机车与动车组,地铁或轻轨站与站之间的距离较短,牵引变流器需要不断的启停,对HVIGBT模块来说,结温和壳温的温度波动循环更多。因此除了高可靠性要求外,还需要HVIGBT具有足够的寿命,满足牵引变流器的寿命设计要求。北京京诚宏泰科技有限公司
与前几代相比,X系列使用高温焊料进行芯片连接。此外,除了金属化陶瓷基板的改进,用于将基板连接到底板的焊料也得到了改进。最后,采用改进的凝胶材料进一步提高了功率循环能力。与前一代相比,新封装技术使功率循环能力提高了2.7倍




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产品属性属性值
Misubsh Elecric
IGBT 模块
供应商:
 北京京诚宏泰科技有限公司
RoHS:N
IGBT Silicon Modules
Triple
3300 V
3.45 V
1000 A
0.5 uA
11300 W
Module
- 40 C
+ 125 C
Bulk
商标:Misubih Electc
栅极/发射极电压:20 V
安装风格:SMD/SMT
产品类型:IGBT Modules
系列:CM1200HB-66H
2
子类别:IGBTs
技术:Si


CM1000HC-66R 除了IGBT外, 该模块还包括集成式(集成的)门驱动电路,以及检测和防止过流、过压、过热和门驱动电压不足(门极驱动欠压)等故障的电路。

电力机车牵引的两电平变频器IPM模块PM1200HCE330-1

HVIPM(High Voltage Inligent Power Module)为了进一步发挥IGBT芯片的性能,采用的驱动电路,是将自我保护(过电流、控制电源电压降低、过热)功能等实现IC化的高性能模块。为大容量变换器装置的小型化和节能化贡献力量,作为IPM,产品阵容中的zui大额定值达到3.3kV/1.2kA北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货北京京诚宏泰科技有限公司供应IGBT模块CM1500HC-66R

PM1200HCE330-1主要用途变换器装置 / 换流器装置 / DC斩波器装置

CM900HC-90H 203

CM900HC-90H 204

CM900HB-90H
CM900HG-90H

CM1200HC-66H

CM1200HB-66H 209

CM1200HG-90R

MG900GXH1US53

CM750HG-130R

CM600HG-130H

DTR0000205475/H

FZ1500R33HE3

IGBT逆变模块IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制动模块IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斩波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

ACM(IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi  MBL400E33D3EGM065727R0001

北京京诚宏泰科技有限公司是一家集渠道、分销、经销 、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。

专业销售国内外品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块;主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、

SIEMENS西门子、西门康Semikron、 IXYS艾赛斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon伟肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飞兆半导体、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因达NIEC,美国IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼尔;yaskawa安川;

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英国西玛,西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶闸管、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块;日本富士(FUJI)、

日之出(HINODE)、法国罗兰(FERRAZ)、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),

Itelcond,意大利FACON,德国伊凯基ELECTRONICON,法国汤姆逊TPC,日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;

红宝石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、英国BHC,BHC Aerovox 电解电容以及美国CDE无感电容;瑞士CONCEPT IGBT驱动、光耦、变频器主控板、驱动板,电源板,通信板,接口板

操作面板  

CM800DZ-34H

CM800HC-66H

CM1500HC-66R

CM1000HC-66R

DD600N16K-A

5SNA 1200E330100

CM1200HG-66H

FZ1200R33KL2C_B5

ST1200FXF22

CM900HB-90H

MG900GXH1US53

CM750HG-130R

CM1200HG-90R

T0900EA45A

5SNA 0600G650100

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