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InGaAs APD雪崩光电探测器

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InGaAs APD雪崩光电探测器
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更新时间：2025-01-18 08:17:15浏览次数：38次

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深圳市兴博科技有限公司

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产品简介

高速硅光电探测器特点：高速率低暗电流平面正照结构

详细介绍

　

高速硅光电探测器

   特点：                 
       高速率
       低暗电流
       平面正照结构,进口芯片
    应用：
       测距
       物理化学过程的快速光信号探测
       用于主波取录、YAG 光脉冲测量及光纤通信的光探测
    光电特性(T = 22℃)：

参    数 符号 典型值 测试条件
光谱响应范围（nm） λ 400~1100 　
光敏面直径(um) 　 Φ230 Φ500 　
响应度（A/W） Re 60 900nm
工作电压（V） vR 120 f=1MHz,
击穿电压（V） vBR 140 Ir=10uA,
暗电流（nA） ID 5 　
总电容（pF） Cj 0.8 f=1MHz
响应时间（ns） tr 0.7 　

  note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数 

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商铺：https://www.gkzhan.com/st8902/

主营产品：激光器驱动电源、激光器、光无源器件、光学元件、光电探测器等


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