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扩散硅压力变送器的技术特性

2012年11月30日 09:37来源: 人气:1061

  工控摘要:扩散硅压力变送器抗过载和抗冲击能力强,过压可达量程的数倍,甚至用硬物直接敲打测量元件也不致使其损坏,且对测量精度毫无影响。稳定性高,每年优于0.1%满量程,这个技术指标已达到智能型压力仪表水平;温度漂移小,由于取消了压力测量元件中的中介液,因而传感器不仅获得了很高的测量精度,且受温度梯度影响极小。
  
  关于扩散硅压力变送器的具体技术特性,接下来一一为大家讲解:
  
  1、精度高扩散硅压力传感器的感受、敏感转换和检测三位一体,无机械动件连接转换环节,所以不重复性和迟滞误差很小。因此综合表态精度很高。
  
  2、可靠性高扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级,膜片zui大位移量在来微米数量级,且无机械磨损,无疲劳,无老化。平均*时间长,性能稳定,可靠性高。
  
  3、灵敏度高扩散硅敏感电阻的灵敏因子比金属应变片高50~80倍,它的满量程信号输出在80-100mv左右。对接囗电路适配性好,应用成本相应较低。由于它输入激励电压低,输出信号大,且无机械动件损耗,因而分辩率*。
  
  4、频响高由于敏感膜片硅材料的本身固有频率高,一般在50KC。制造过程采用了集成工艺,膜片的有效面积可以很小,配以刚性结构前置安装特殊设计,使传感器频率响应很高,使用带宽可达零频至100千赫兹。
  
  5、度性能好随着集成工艺技术进步,扩散硅敏感膜的四个电阻一致性得到进一步提高,原始的手工补偿已被激光调阻、计算机自动休整技术所替代,传感器的零位和灵敏度温度系数已达10-5/℃数量级,工作温度也大幅度提高。
  
  6、扩散硅压力变送器的抗电击穿性能好由于采用了特殊材料和装配工艺,扩散硅传感器不但可以做到130℃正常使用,在强磁场、高电压击穿试验中可抗击1500V/AC电压的冲击压力变送器。
  
  7、耐腐蚀性好由于扩散硅材料本身优良的化学防腐性能好,即使传感器受压面不隔离,出能在普通使用中适应各种介质。硅材料又与硅油有良好的兼容性,使它在采用防腐材料隔离时结构工艺更易于实现。加之它的低电压、低电流、低功耗、低成本和本质安全防爆的特点,可替代诸多同类型的同功能产品,具有*良的性能价格比。
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