MOV与通用型压敏电阻性能要求的主要区别

在此重点介绍一下SPD用MOV芯片要重视热容量的理由：SPD的热脱离原理是利用MOV芯片失效后在工频负荷的作用下，其泄漏电流不断增大导致芯片发热将热脱离机构的低熔点合金焊接点熔化脱离切断电路以达到保护目的，MOV芯片自身还存在热熔击穿的问题，一旦MOV芯片被热熔击穿，就成了一个阻值很低的导体，造成系统短路，有时会起弧使模块内的物质迅速气化、压力骤增造成爆炸、喷火燃烧，损毁设备、建筑。故热脱离机构必须在MOV芯片被热熔击穿前实现脱离，热容量大的MOV芯片在被热熔击穿前可坚持更长的时间以保证热脱离机构的低熔点合金焊接点熔化，此即要重视MOV芯片热容量的理由。对同种材料来说，一般只能通过增加物质量来提高热容量，在径向尺寸固定的情况下，则只有增大轴向尺寸即芯片厚度来增大其热容量；但是芯片厚度增加同时带来了残压升高的问题，故对芯片的性能要求应当综合平衡，不可过分强调其一。