IGBT驱动电路
IGBT模块的说法还要追溯到80年代,实际上IGBT的集成结构很复杂,其本身的工作频率比二极管要高很多。按照现在的发展趋势,IGBT是未来半导体器件的主力。进一步把驱动功率给降低很多。
对于IGBT驱动电路的设计来说:电源的情况,元器件关断偏置,耐固性,以及门级电路负荷等等是主要的 参数考核(这些仅适用在功率偏大的IGBT驱动电路)。所谓的门级偏压在很大程度上影响着关断特性,因此在设计门级电路的时候,要考虑负载电压的能力以及 dVcE/dt 造成电流所引起的误触发问题,以及门级的电阻大小、正负偏压情况等等所引起的开关受损、承压电路能力等等。
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