意法半导体推出三款高压功率MOFET系列
- 2014年02月18日 11:59来源： 人气：1212
工控摘要：日前，意法半导体推出三款*的高压功率MOFET系列产品，并应用两项新的封装技术，让充电器、太阳能微逆变器和计算机电源等注重节能的设备变得更紧凑、更稳健、更可靠。
意法半导体*的PowerFLAT™5x6HV和PowerFLAT5x6VHV封装具有高达650V和800V电压运行所要求的隔离通道长度和间隙，而封装面积与工业标准的100VPowerFLAT5x6封装的5mmx6mm相同，比主流的DPAK封装缩小52%。此外，这两个*封装仅1mm厚，配备一个裸露的大面积的金属漏极焊盘，通过印刷电路板上的散热通孔zui大限度地排热。
这些功能同时提高了管子的高压输出能力、稳健性、可靠性和系统功率密度。
意法半导体目前正在推出三款采用PowerFLAT5x6HV封装的650VMDmesh™VMOSFET产品，还推出四款额定电压*的采用PowerFLAT5x6VHV800V封装的SuperMESH5MOSFET。
此外，意法半导体已经开始提供两款采用PowerFLAT5x6HV封装的600V快速开关型低Qg的MDmeshIIPlusMOSFET测试样片。
意法半导体*的PowerFLAT™5x6HV和PowerFLAT5x6VHV封装具有高达650V和800V电压运行所要求的隔离通道长度和间隙，而封装面积与工业标准的100VPowerFLAT5x6封装的5mmx6mm相同，比主流的DPAK封装缩小52%。此外，这两个*封装仅1mm厚，配备一个裸露的大面积的金属漏极焊盘，通过印刷电路板上的散热通孔zui大限度地排热。
这些功能同时提高了管子的高压输出能力、稳健性、可靠性和系统功率密度。
意法半导体目前正在推出三款采用PowerFLAT5x6HV封装的650VMDmesh™VMOSFET产品，还推出四款额定电压*的采用PowerFLAT5x6VHV800V封装的SuperMESH5MOSFET。
此外，意法半导体已经开始提供两款采用PowerFLAT5x6HV封装的600V快速开关型低Qg的MDmeshIIPlusMOSFET测试样片。
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