LT4320用低损耗N沟道MOSFET桥取代了全波二极管桥整流器,以将功耗和电压损耗降低10倍或更多。因电源效率提高而不再需要笨重的散热器,从而减小了电源尺寸。由于消除了在二极管桥固有的两个二极管压降,所以提供了额外的裕度,而使低压应用可从中受益。与其他传统电桥相比,MOSFET桥可实现非常节省空间和功耗的整流器设计。H级和MP级版本分别保证工作在-40℃至125℃和-55℃至125℃温度范围。
LT4320的开关控制平滑地接通两个合适的MOSFET,同时保持另外两个断接以防止反向电流。一个集成的充电泵无需外部电容器,就能够为导通电阻很低的外部N沟道MOSFET提供栅极驱动。MOSFET的选择可在功率方面提供了zui大的灵活性,范围从1W直到数千瓦。
LT4320有两种版本可供选择:LT4320为DC至60Hz电压整流而设计;而LT4320-1通过加倍顶端源漏极调节电压,为DC至600Hz进行了优化。H级版本采用8引脚DFN(3mmx3mm)和PDIP封装、以及12引线MSOP封装,并具备增强的高压引脚间距,而MP级版本仅采用12引线MSOP封装。H级和MP级版本的千片批购价分别为3.45美元和8.85美元。器件样品和评估电路板可通过在线或凌力尔特当地办事处查询详情。
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