英飞凌推出快速二极管OptiMOS FD

　　工控摘要：近日，英飞凌科技股份公司推出200V和250VOptiMOSTMFD，进一步完善了中压产品组合。作为针对体二极管硬式整流进行优化的一代功率MOSFET，这些器件更加可靠耐用，具有更低的过冲电压和更低的反向恢复损耗，有助于实现zui可靠的系统。
　　
　　提高可靠性，同时节省成本
　　
　　OptiMOSFD家族具备针对zui高性能标准而优化的反向恢复电荷(Qrr)。相比标准的200V和250VOptiMOS，200V和250VOptiMOSFD的Qrr降低了40%。这意味着通过降低过冲电压大幅提升了系统可靠性，从而zui大限度地减少了对缓冲电路的需求。
　　
　　英飞凌科技系统业务部门直流/直流业务主管RichardKuncic表示：“英飞凌再一次突破了200V和250V电压级产品的极限。设立新的基准是我们不懈奋进的动力。OptiMOSFD家族秉承了我们充分利用开关性能的成功之道。这个一代功率MOSFET能为我们的客户节省工程设计费用，减轻设计工作量，特别是在硬开关应用中。”
　　
　　简单又
　　
　　相比当前市场上现有的200V和250V产品，全新OptiMOSFD改善了硬换向耐用性，从而可以在更为苛刻的条件下使用，如更高dv/dt、di/dt和电流密度。这样一来，其使用非常简便，简化了设计流程。
　　
　　此外，相比于可替代的器件，OptiMOSFD的导通电阻(RDS(on))zui多可降低45%，FOM(QgxRdson)zui多可降低65%，从而可以实现zui高的效率和功率密度。