IR推出大罐式DirectFET MOSFET系列

　　摘要：日前，整流器公司（简称IR）推出大罐式DirectFETMOSFET系列，适用于要求极低导通电阻(RDS(on))的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变器，以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。
　　
　　全新7mmx9mmx0.7mm大罐式封装器件提供的导通电阻性能，从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具备双面散热功能，可提供*传热性能，提升功率密度。由于提供*的裸片对占位面积比，DirectFET可有效缩减电路板尺寸。新器件还具备0.7mm的超薄厚度，为受空间限制的高功率工业电源设计提供理想的解决方案。
　　
　　与DirectFET系列的其它器件一样，全新的工业用大罐式封装器件提供能改善可靠性的无键合线设计。DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)的所有要求，例如提供*不含铅的物料清单，因此非常适合长生命周期的设计。而其它同类型的高性能封装则包含采用含铅的裸片贴装，虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a)项豁免条款，但这项豁免将于2016年到期。
　　
　　IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“DirectFET系列新增大罐式封装器件后，继续业界成为市场上zui可靠、zui高性能的MOSFET封装产品之一。全新大罐式DirectFET系列的占位面积比D2PAK等传统的大型塑料表面贴装功率封装显著减小，而且增加了上方散热性能，因而非常适合空间受限的长寿命工业电源设计。”