Littelfuse推出新型瞬态抑制二极管阵列

　　摘要：Litfuse宣布推出SPHV（单向）和SPHV-C（双向）系列200W分立瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）。
　　
　　相比早期技术，这两个产品系列能够更好地保护敏感设备免遭静电放电（ESD）和其它过压瞬变造成的损坏。SPHV和SPHV-C系列可安全吸收超出IEC61000-4-2标准中zui高值的反复性ESD震击，而不会引起性能下降，并能以非常低的箝位电压耗散高达8A的感应浪涌电流。由于采用SOD882封装，非常适合替代汽车电子产品、LED照明模块、便携式仪表、通用I/O、移动和手持设备、CAN和LIN总线、RS232/RS485以及其他各种低速I/O等应用中的0402规格多层压敏电阻（MLV）。对于那些需要在印刷电路板上不能使用阵列的地方设置ESD和浪涌保护器件的设计人员而言，这两个产品系列也是理想的解决方案。
　　
　　瞬态抑制二极管阵列产品系列总监ChadMarak表示：“由于采用替代材质的设备具有内在的磨损缺陷，而SPHV和SPHV-C系列瞬态抑制二极管阵列采用硅二极管制成，因此可提供高出2-3倍的ESD保护能力。这有利于在每日易遭受ESD威胁并且设备在整个工作寿命期间需要经受数百乃至数千次ESD震击的环境中部署更加的产品。由于其动态电阻很低，因此相比采用同类技术的器件可将箝位电压降低高达60%，成为保护采用小型IC的现代电子产品的理想选择。”
　　
　　SPASPHV和SPHV-C系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势：
　　
　　可在高达±30kV（接触放电）的条件下提供ESD保护，并在高达8A（tP=8/20µs）的条件下提供浪涌保护，帮助设备制造商达到并超过行业标准的要求，并延长设备寿命和系统正常运行时间。
　　
　　动态电阻很低，相比采用同类技术的器件可将箝位电压降低高达60%，成为保护采用小型IC的现代电子产品的理想选择。
　　
　　相比具有内在磨损缺陷的早期技术，其采用硅二极管制成，能够处理多次（>1000）ESD震击或瞬态浪涌，同时不会对性能造成不利影响。
　　
　　AEC-Q101认证产品，可用于汽车电子产品中，确保提供zui大的可靠性。