TSI图像传感器制造技术诞生

　　摘要：日前，格科微宣布其在中国台湾积体电路制造股份有限公司(“TSMC”)的12吋90nm(奈米)逻辑平台上研发的“透硅成像”(Through SiliconI llumination,简称“TSI”)图像传感器制造技术取得成功，并即将进入量产阶段。
　　
　　格科微的TSI技术具有全面的自主知识产权，包括电路设计、像素版图设计以及与像素相关的工艺流程技术。该技术可以用于大规模制造1.75μm(微米)，1.4μm和1.1μm像素的CMOS图像传感器，并可延伸到0.9μm像素的技术节点。格科微预期将在2014年至2015年期间陆续推出基于该*技术的5Megapixel(百万像素),8Megapixel以及12Megapixel的图像传感器系列产品。
　　
　　格科微的TSI技术具有如下优势：
　　
　　1.高性能：TSI技术在大幅度提高灵敏度、信噪比的同时，显著地抑制了热燥、暗电流和串扰等噪声。
　　
　　2.高速度和低功耗：TSI技术采用TSMC的90nm工艺作为技术平台，并进一步优化相关工艺参数，同时结合格科微*的电路设计技术，实现了CMOS图像传感器的高速度与低功耗，由此保证高帧率预览与拍照，同时保证芯片的低功耗从而实现出色的低热燥水平。
　　
　　3.显著的成本优势：TSI技术采用格科微自主创新的像素工艺技术，使用较少的工艺步骤实现*的图像性能。
　　
　　“我们为TSI技术的研发成功和其展现出的优异性能感到欢欣鼓舞。”格科微CEO赵立新表示，“同时我们感谢格科微相关团队的表现和TSMC的大力支持，该技术得以及时研发成功。我们将迅速在这个性能*的技术平台上推出基于1.1~1.4μm像素的5Megapixel、8Megapixel和12Megapixel系列产品，一举打破美日韩公司垄断高像素CMOS图像传感器市场的局面，为飞速发展的智能手机和平板电脑等移动互联终端产品提供具有性能和性价比优势的世界*的图像传感器产品。”