全新75VStrongIRFET功率MOSFET系列配备可提升低频应用性能的超低导通电阻(RDS(on))、*的载流能力、软体二极管,以及有助于提高抗噪性的3V典型阀值电压。该系列的每款器件都*通过业界zui高雪崩电流级别的雪崩测试,能够为要求严格的工业应用提供zui坚固耐用的解决方案。新组件都采用穿孔式封装。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR的75VStrongIRFET器件系列具有超低导通电阻,而且*通过严格的行业级雪崩测试,以确保产品坚固耐用。新组件提供基准性能MOSFET以供选择,旨在为工业市场作出优化。”
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