意法半导体(ST)推出全新M系列IGBT

　　摘要：意法半导体（ST）推出全新M系列1200VIGBT，以*的沟栅式场截止技术(trench-gatefield-stop)为特色，有效提升太阳能逆变器(solarinverters)、电焊机(weldingequipment)、不间断电源(uninterruptible power supplies)与工业电机驱动器等多项目标应用的能效和可靠性。
　　
　　高度优化的导通性和关断性以及低导通损耗(lowturn-onloss)，让全新的改进型IGBT特别适用于执行工作频率高达20kHz的硬开关电路(hard-switchingcircuit)；zui高工作温度提高至175°C，宽安全工作范围(SOA,safeoperatingarea)无闭锁效应(latch-upfree)，150°C时的短路耐受时间(short-circuitwithstandtime)为10µs，这些特性确保新产品在恶劣的外部电气环境中具有更高的可靠性。
　　
　　新产品所用的第三代技术包括新的*的沟栅结构设计和优化的高压IGBT架构，可以zui大限度地降低电压过冲(voltageovershoot)，消除关断期间出现的振荡现象(oscillation)，有效降低电能损耗，简化电路设计。与此同时，低饱和电压(Vce(sat))可确保新产品具有很高的导通能效。正温度系数和窄饱和电压范围可简化新产品并联设计，有助于提高功率处理能力。
　　
　　新产品还受益于提升的导通能效。此外，新产品与IGBT反向并联(anti-parallel)的新一代二极管一同封装，具有快速的恢复时间和增强的恢复软度特性，且导通损耗没有明显上升，进而实现更出色的EMI性能表现。
　　
　　40ASTGW40M120DF3、2STGW25M120DF3和1STGW15M120DF3三款产品采用标准的TO-247封装，STGWA40M120DF3、STGWA25M120DF3和STGWA15M120DF3三款产品采用TO-247长引脚封装，目前均已开始量产。