Diodes公司推出*采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ,以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0.36mm2,比采用了DFN1006(SOT883)封装的同类型器件小40%,并能提供相等甚至更佳的电气性能。这些器件的离板高度只有0.4mm,非常适合智能手表、健康和健身设备等可穿戴产品,以及智能手机与平板电脑等受空间限制的消费性产品。
Diodes公司*DFN0606双极型晶体管产品(两款NPN及两款PNP器件)能够处理高达830mW的功耗。其中40V额定值的MMBT3904FZ及MMBT3906FZ可大幅提升功率密度,还提供高达200mA的集极电流;45V额定值的BC847BFZ和BC857BFZ的集极电流则为100mA。所有器件都会以少於一伏特的底部射极电压开启,确保在极低可携性电源的情况下*启动。
Diodes公司*DFN0606双极型晶体管产品(两款NPN及两款PNP器件)能够处理高达830mW的功耗。其中40V额定值的MMBT3904FZ及MMBT3906FZ可大幅提升功率密度,还提供高达200mA的集极电流;45V额定值的BC847BFZ和BC857BFZ的集极电流则为100mA。所有器件都会以少於一伏特的底部射极电压开启,确保在极低可携性电源的情况下*启动。
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