英飞凌推出推出新型低饱和压降VCE(sat)IGBT-L5系列

　　英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat)IGBT。此类IGBT专门针对50Hz至20kHz的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源(UPS)以及光伏逆变器和逆变焊机中。新L5系列基于TRENCHSTOP5薄晶片技术，使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。
　　
　　凭借25°C时典型饱和压降(VCE(sat))为1.05V的傲人成绩，此类新型IGBT成功地将效率水平提升到一个新的高度——用L5系列代替它的前辈TRENCHSTOPIGBT，使效率在NPC1拓扑中提升高达0.1％，在NPC2拓扑中提升0.3％。再加上VCE(sat)的温度系数为正，保持率的同时还能直接并联——树立了20kHz以下频率的IGBT的。铸造新L5系列灵魂的TRENCHSTOP5技术，不但能提供的低传导损耗，还能将25℃时的总开关损耗降至1.6mJ。综上所述，在低开关频率应用场合使用英飞凌新推出的低饱和压降IGBT能提升效率，增加可靠性并且缩小系统的尺寸。
　　
　　*波面世的新L5IGBT系列采用业界标准的TO-2473针封装技术。此外，为了满足需要进一步增强效率的应用场合，英飞凌还提供TO-2474针开尔文-发射极封装版（Kelvin-Emitterpackage）的L5IGBT。与标准的TO-2473针封装版相比，TO-2474针封装版的开关损耗减少了20％。因此，L5与TO-2474针封装的结合，不但创造了*版低传导能耗和低开关损耗成绩，还帮助英飞凌巩固了在为高功率市场提供高度创新并且与众不同的产品方面的地位。
　　
　　配置规格
　　
　　新型低饱和压降L5系列有30A和7两种规格，一种是单IGBT形式，另一种则合装有英飞凌的超快Rapid1和Rapid2硅二极管。TO-2474针开尔文-发射极封装版有7规格。