Vishay推出新的薄膜条MOS电容器

　　日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境，推出新的薄膜条MOS电容器。VishayDaleResistorsElectro-FilmsBRCP可处理高功率，工作电压高达100V，有120milx35mil(外形A)和240milx35mil(外形B)两种小外形尺寸，能够在不牺牲性能的情况下，实现更小的产品设计。
　　
　　今天推出的这些器件具有高工作电压和5pF～100pF的电容，以及鲁棒的MOS结构，适用于LC、RC或LRC滤波，RF扼流，以及直流隔离和阻抗匹配。对于这些应用，BRCP可以采用多引线键合，zui小容值的外形A、外形B的电容器分别有7个键合和15个键合。
　　
　　条形电容器的TCC低至±50ppm/℃，公差只有±5%。器件具有优异的负载寿命稳定率，可以在-55℃～+150℃温度范围内工作。