Vishay推出超薄2. IGBT和MOSFET驱动器
- 2015年06月08日 11:16来源： 人气：901
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新的SMD封装的超薄2.IGBT和MOSFET驱动器---VOL3120。VishaySemiconductors这款器件占位小，高度为2.5mm，zui小间隙和外部爬电距离为8mm。除了尺寸小的特点，器件还具有高隔离电压，VIORM和VIOTM分别为1050V和8000V，非常适合在更高工作电压或污染程度更严重条件下运转，例如电机驱动、可替代能源、焊接设备和其他高工作电压的应用。
VOL3120的高度比标准DIP封装的器件低30%，能节省空间，并实现类似电磁炉面，以及民用太阳能电池和电机驱动中的小尺寸逆变器等扁平外形的应用。VOL3120不仅具有优异的隔离能力，还具有当今*的电气性能。器件的过压锁定功能可保护IGBT/MOSFET，避免出现故障，对共模瞬态的抑制能力超过48kV/μs，能消除来自PCB上低压区域的噪声。
VOL3120的工作损耗电流zui大为2.5mA，在要求高频工作的电源应用里是很实用的选择。器件的典型延迟小于250ns，典型上升和下降时间为100ns，极为适合要求IGBT和MOSFET快速开关的应用。
今天推出的驱动器可在15V～32V电源电压和-40℃～+100℃的工业温度下工作。VOL3120的潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-0201级，仓储寿命不限。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。
VOL3120的高度比标准DIP封装的器件低30%，能节省空间，并实现类似电磁炉面，以及民用太阳能电池和电机驱动中的小尺寸逆变器等扁平外形的应用。VOL3120不仅具有优异的隔离能力，还具有当今*的电气性能。器件的过压锁定功能可保护IGBT/MOSFET，避免出现故障，对共模瞬态的抑制能力超过48kV/μs，能消除来自PCB上低压区域的噪声。
VOL3120的工作损耗电流zui大为2.5mA，在要求高频工作的电源应用里是很实用的选择。器件的典型延迟小于250ns，典型上升和下降时间为100ns，极为适合要求IGBT和MOSFET快速开关的应用。
今天推出的驱动器可在15V～32V电源电压和-40℃～+100℃的工业温度下工作。VOL3120的潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-0201级，仓储寿命不限。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。
全年征稿/资讯合作
联系邮箱：1271141964@qq.com
- 凡本网注明"来源：智能制造网"的所有作品，版权均属于智能制造网，转载请必须注明智能制造网，https://www.gkzhan.com。违反者本网将追究相关法律责任。
- 企业发布的公司新闻、技术文章、资料下载等内容，如涉及侵权、违规遭投诉的，一律由发布企业自行承担责任，本网有权删除内容并追溯责任。
- 本网转载并注明自其它来源的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品来源，并自负版权等法律责任。
- 如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系，否则视为放弃相关权利。
