美国IGBT测试仪介绍 IGBT

         IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管和MOS（绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。））

         对于应用IGBT晶体管的人来说，我们主要有以下参数需要了解：

IGBT的测试参数包括栅极-发射极阈值电压、集电极-发射极截止电流、集电极-发射极饱和电压、IGBT开通关断时间以及续流二极管的恢复时间等[5]。这些参数的测试方法符合国标GB/T17007-1997的标准，但部分参数的测试方法有所差异和改进。

　　（1）栅极-发射极阈值电压VGE（TO）测试:由电压源对被测器件施加规定的集电极-发射极电压;从零开始逐渐增加栅极-发射极间的电压,当检测到集电极电流达到规定值时，此时的栅极电压值即为栅极-发射极阈值电压。

　　（2）栅极-发射极漏电流IGES测试:

　　集电极-发射极间短路;由电压源对被测器件施加规定的栅极-发射极电压,这时通过栅极

-发射极回路的电流即为栅极-发射极漏电流。

　　（3）集电极-发射极截止电流ICES测试:栅极-发射极短路;由电压源对被测器件施加规定的集电极-发射极电压,这时通过集电极-发射极回路的电流即为集电极-发射极截止电流。

　　（4）集电极-发射极饱和电压VCE（sat）测试:由电压源对被测器件施加规定幅值和脉宽的栅极电压;调节集电极-发射极电流至规定值,这时相对栅极脉冲稳定部分的集电极-发射极电压即为集电极-发射极饱和电压值。

　　（5）开通时间ton测试:由电压源对被测器件施加规定幅值、脉宽及上升率的栅极电压;调节集电极电流至规定幅值,开通时间是指开通延迟时间与集电极电流上升时间之和。

　　（6）关断时间toff测试:关断时间测试包含阻性负载和感性负载的测试。在相应的阻性负载或感性负载条件下,对被测器件施加规定幅值和脉宽的栅极电压;调节集电极电流至规定值,然后施加规定幅值、脉宽及下降率的反向栅极电压,关断时间是指关断延迟时间与电流下降时间之和。

　　（7）恢复时间测试:用于测量IGBT上反向续流二极管的恢复时间。首先在二极管上施加规定幅值的电流,经过一定时间后施加一个反向电流使其关断，同时施加规定幅值的反向电压。

        鉴于使用者选型来说，动态参数，静态参数都要考虑到。一般在失效分析或者品保IQC部门，主要分析静态参数来确定产品是否为。

         即IGBT 的静态参数:ICES,IGESF,IGESR,BVCES,VGETH,GFE
  VCESAT,ICON,RDSON,VGEON,VF。

        从目前市场上IGBT的主流测试仪器看主要分为欧系和美系。欧系产品目前价格一般较贵，所以 我们在这里为大家推荐一款涵盖IGBT几乎所有静态参数的测试仪：ST5300HX。  从成本上，可以为您的企业节省很多。

ST5300HX是一款很具有代表性的IGBT测试仪，测试范围广；
ST5300HX是的IGBT测试仪器，提供2000V高压，1200A大电流的测试解决方案；

典型客户：MICROSEMI,IXY，东芝，艾默生，ABB等公司

解决方案：

技术参数及可实现目标

主极电压：1000V                  通过内部设置可扩展到：2000V

主极电流:50A                        加选件可扩展到：100A ，500A，1000A，1200A

控制极电压:20V                     加大电流台选件可扩展到：80V

控制极电流:10A                     加大电流台选件可扩展到：40A

电压分辨率:1mV

RDSON 分辨率： 0.1 mOHM

电流分辨率:100pA                 加选件：1pA

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