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三相整流桥

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更新时间:2017-07-08 07:48:18浏览次数:5554次

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● 芯片与底板电气绝缘 ● 标准封装 ● 氮气保护焊接结构,优良的温度特性和功率循环能力 ● 安装简单,使用维修方便 ● 体积小,重量轻 ● Z高工作结温达150度 ● 正向压降小
特点典型应用说明
芯片与底板电气绝缘 直流电机励磁电源
VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+200V
标准封装 各种整流电源除非另作说明,IGT、VGT、IH、VTM、VFM、VISO为常温测试值,
氮气保护焊接结构,优良的温度特性和功率循环能力 直流电源表中其他参数皆为在Tjm=125 oC(可控硅)或Tjm=150 oC(二极管)下测试值。
安装简单,使用维修方便 电机软启动I2t=I2FSM × tw/2,tw=正弦半波电流底宽,
体积小,重量轻 逆变电焊机 在50HZ下I2t(10ms)=0.005I2FSM (A2S)。
zui高工作结温达150oC 电池充电直流电源
正向压降小 开关电源的输入整流
  软启动电容器充电 
   
MDS
三相整流桥
MFS
三相半控桥
MTS
三相全控桥
MDS 三相整流桥 
Type
Io (A)
VRRM
IRRM
IFAV (A)
IFSM
VFM
@IFM
I2t
Rjc
VISO
VF0
rF
SA
outline
Type
@TC =100 oC
(V)
(mA)
@TC =100 °C
(KA)
(V)
(A)
(A2S×104)
(oC/w)
(V)
(V)
(mΩ)
(cm2)
MDS 30
30
600-1800
6
10
0.30
1.15
30
0.045
0.45
2500
0.80
11.6
1200
DS1
MDS 3O
MDS 60
60
600-1800
6
20
0.60
1.15
60
0.180
0.36
2500
0.80
5.83
1600
DS2
MDS 60
MDS 90
90
600-1800
6
30
0.90
1.15
90
0.405
0.32
2500
0.80
3.88
2400
MDS 90
MDS 75
75
600-1800
8
25
0.90
1.15
75
0.405
0.28
2500
0.80
4.67
2000
DS3/DS5
MDS 75
MDS 100
100
600-1800
8
33
1.00
1.15
100
0.50
0.24
2500
0.80
3.50
2700
MDS 100
MDS 160
160
600-1800
10
55
1.65
1.15
160
1.361
0.15
2500
0.80
2.19
4800
DS4
MDS 160
MDS 200
200
600-1800
10
67
2.00
1.15
200
2.0
0.13
2500
0.80
1.75
6500
MDS 200
   
参数符号说明
di/dt 通态电流临界上升率dv/dt 断态电压临界上升率I2t 电流平方时间积IDRM 断态重复峰值电流IGT 门极触发电流IH 维持电流
IRRM 反向重复峰值电流IFAV 正向平均电流ITAV 通态平均电流IFM 正向峰值电流ITM 通态峰值电流IFSM 正向不重复浪涌电流
ITSM 通态不重复浪涌电流rF 正向斜率电阻rT 通态斜率电阻Rjc 结壳热阻SA *散热面积TC 壳温
Tjm zui高结温VDRM 断态重复峰值电压VDSM 断态不重复峰值电压VGT 门极触发电压VISO 绝缘电压VRRM 反向重复峰值电压
VRSM 反向不重复峰值电压VFM 正向峰值电压VTM 通态峰值电压VFO 正向门槛电压VTO 通态门槛电压outline 外形

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