HTRS-1000型高温半导体材料电阻率测试仪主要用于半导体材料导电性能的评估和测试，该系统采用四线电阻法测量原理进行设计开发，可以在高温、真空气氛的条件下测量半导体材料电阻和电阻率，可以分析被测样品电阻和电阻率随温度、时间变化的曲线。目前主要针对圆片、方块、长条等测试样品进行测试，可以广泛用于半导体材料硅（si）、锗（ge）,化合物半导体材料砷化镓(GaAs)、锑化铟（InSb），三元化合物半导体GaAsAl、GaAsP，固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP等的块体材料的电阻率测量等材料的电阻率测量。
一、主要技术参数：
温度范围：RT-1000℃
升温斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min)
控温精度：±0.5℃
电阻测量范围：0.1mΩ~1MΩ
电阻率测量范围：100nΩ..cm~100KΩ .cm
测量环境：惰性气氛、还原气氛、真空气氛
测量方法：四线电阻法
测试通道：单通道
样品尺寸：10mmx10mmX20mm或φ＜20mm ,d＜5mm
电极材料：上电极半圆型铂金电极，下电极平板型铂金电极
绝缘材料：99氧化铝陶瓷
数据存储格式：TXT文本格式
数据传输：USB
符合标准：ASTM
供电：220V±10%，50Hz
工作温度：5℃ 至 + 40 ℃；
存储温度：–40 ℃ 至 +65 ℃
工作湿度：+40 ℃ 时，相对湿度高达 95%（无冷凝）
设备尺寸：400x450x580mm
重量：38kg