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介电性能定义：介电性能是指在电场作用下,表现出对静电能的储蓄和损耗的性质，通常用介电常数和介质损耗来表示.
介电常数定义：介电常数，又称电容率〔permittivity 〕,是电位移D与电场强度E之比ε= D/E ，其单位为F/m 。
介电常数小的电介质，其分子为非极性或弱极性构造，介电常数大的电介质，其分子为极性或强极性构造。
介电常数是表征电介质的最根本的参量，是衡量电介质在电场下的极化行为或储存电荷能力的参数。
电介质电容、介电常数
真空电容 C0=Q0/V=e0s/d
电介质电容 C=Q/V=ereos/d
相对介电常数 εr = C/C0
Co = Q/V = eoA/d
C = eA/d er= e /eo
介电损耗 Dielectric loss
介质的介电损耗是指电介质在单位时间内每单位体积中将电能转换为热能而损耗的能量。
电介质的介电损耗一般用损耗角正切tand 表示，并定义为：
tand=介质损耗的功率（即有效功率）/无功功率
同时，介电损耗也是表示绝缘材料〔如绝缘油料〕质量的指标之一。介电损耗愈小，绝缘材料的质量愈好，绝缘性能也愈好。
tanδ=1/WCR(式中W为交变电场的角频率；C为介质电容；R为损耗电阻)。
tand是频率的函数，是电介质的自身属性，与试样的大小和形状无关。可以和介电常数同时测量，用介质损耗仪、电桥、Q表等测量。
电导时tand与频率ω的关系
绝缘材料介电性能试验仪（介质损耗）型号及参数：
项目/型号 | ZJD-B | ZJD-A | ZJD-C |
信号源 | DDS数字合成信号 | ||
频率范围 | 10KHZ-70MHZ | 10KHZ-110MHZ | 100KHZ-160MHZ |
信号源频率覆盖比 | 7000:1 | 11000:1 | 16000:1 |
采样精度 | 11BIT | 12BIT | |
信号源频率精度 | 3×10-5 ±1个字,6位有效数 | ||
Q值测量范围 | 1～1000自动/手动量程 | ||
Q值量程分档 | 30、100、300、1000、自动换档或手动换档 | ||
Q分辨率 | 4位有效数，分辨率0.1 | ||
Q测量工作误差 | ＜5% | ||
电感测量范围 | 1nH～8.4H,；分辨率0.1 | 1nH～140mH；分辨率0.1 | |
电感测量误差 | ＜3% | ||
电容直接测量范围 | 1pF～2.5uF | 1pF～25uF | |
调谐电容误差分辨率 | ±1pF或＜1% | ||
主电容调节范围 | 30～540pF | 17～240pF | |
谐振点搜索 | 自动扫描 | ||
自身残余电感扣除功能 | 有 | ||
大电容值直接显示功能 | 有 | ||
介质损耗直读功能 | 有 | ||
介质损耗系数精度 | 万分之一 | ||
介质损耗测试范围 | 0.0001-1 | ||
介电常数直读功能 | 有 | ||
介电常数精度 | 千分之一 | ||
介电常数测试范围 | 0-1000 | ||
LCD显示参数 | F,L,C,Q,LT,CT,波段等 | ||
准确度 | 150pF以下±1pF；150pF以上±1% | ||
Q合格预置范围 | 5～1000声光提示 | ||
环境温度 | 0℃～+40℃ | ||
消耗功率 | 约25W | ||
电源 | 220V±22V，50Hz±2.5Hz | ||
极片尺寸 | 38mm/50mm(二选一) | ||
极片间距可调范围 | ≥15mm | ||
材料测试厚度 | 0.1-10mm | ||
夹具插头间距 | 25mm±0.01mm | ||
夹具损耗正切值 | ≤4×10－4 （1MHz） | ||
测微杆分辨率 | 0.001mm | ||
测试极片 | 材料测量直径Φ38mm/50mm，厚度可调 ≥ 15mm | ||
绝缘材料介电性能试验仪（介质损耗）配置清单：
主机一台
电感九只
夹具一套
液体杯一个
电源线一根
数据线一根
说明书一份
合格证一份
保修卡一张
系统组成
1.ZJD-87高精密高压电容电桥一台
2.高压标准电容器一台
3.高压电源一台
4.固体电极（液压控制可加温控温、也可抽真空）一台
5.测温控温仪（两路）一台
