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的瞬态光电导技术
QSSPC技术对于监测多晶硅硅片，掺杂剂的扩散，和低寿命样本是理想的技术。这种方法补充了瞬态光电导技术的运用。瞬态光电导技术在这台设备上也是标准的。
QSSPC寿命测量
QSSPC寿命测量也产生隐含的开路电压（与lllumination)曲线，这可以与an1-v曲线在太阳能电池过程的各个阶段进行比较。
优秀的软件数据处理系统
Sinton设备的分析能为每个晶片产生校准载流子注入水平，所以你可以以一个物理上的方式解读寿命数据。每次测量都会显示和记录特定的参数。
WCT系统功能
单击即可锁定晶硅片的关键参数，包括方块电阻、少子寿命、陷阱密度、发射极饱和电流密度和暗电压
•制造过程的逐步监测和优化
•监测初始材料质量
•晶片加工过程中检测重金属杂质
•评估表面钝化和发射极掺杂扩散
•使用隐含V测量评估过程引起的分流
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 测量参数 | 少子寿命、电阻率、发射极饱和电流密度、陷阱浓度、标准太阳下Voc |
| 寿命测量范围 | 100nm-10ms |
| 测量（分析）模式 | QSSPC，瞬态和归一化寿命分析 |
| 电阻率测量范围 | 3-600（未掺杂）Ohms/sq |
| 可得到的偏压范围 | 0-50suns |
| 可得到的光谱 | 白光和红外光 |
| 感应范围 | 直径40mm |
| 样品尺寸，标准配置 | 标准直径：40-230mm |
| 硅片厚度范围 | 10-2000um |
