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更新时间：2021-12-31 15:01:46浏览次数：360次

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pSRAM: Parrallel pSRAM

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暂无信息

产品简介

伪静态存储器（ParrallelpSRAM）的设计是用于直接替代静态随机存储器（SRAM），即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器（PSRAM）及铁电随机存储器（FRAM）。PSRAM针对慢速SRAM应用；当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM（即BBSRAM）应用，在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是......

详情介绍

Density	Voltage	Part No.	Speed	Temp.	Organization	PDF下载
256Mb	1.8V / 1.8V	W958D6DBC	133MHz / 70ns	-40~85℃	16Mbit x16 CRAM-ADM	暂无
256Mb	1.8V / 1.8V	W968D6DAG	133MHz / 70ns	-40~85℃	16Mbit x16 CRAM	暂无
128Mb	1.8V / 1.8V	W957D6HBC	133MHz / 70ns	-40~85℃	8Mbit x16 CRAM-ADM	暂无
128Mb	1.8V / 1.8V	W967D6HBG	133MHz / 70ns	-40~85℃	8Mbit x16 CRAM	暂无
64MB	1.8V	W966D6HBG	133MHz / 70ns	-40~85℃	4Mbit x16 CRAM	暂无
64MB	1.8V	W956D6HBC	133MHz / 70ns	-40~85℃	4Mbit x16 CRAM-ADM	暂无
64MB	1.8V	W956D6KBK	133MHz / 70ns	-40~85℃	4Mbit x16 CRAM-ADM	暂无
32MB	1.8V	W956K6HBC	133MHz / 70ns	-40~85℃	2Mbit x16 CRAM-ADM	暂无
32MB	1.8V	W966K6HBG	133MHz / 70ns	-40~85℃	2Mbit x16 CRAM	暂无
32MB	1.8V	W966K6HBG	133MHz / 70ns	-40~85℃	2Mbit x16 CRAM	暂无
16M	1.7V--1.95V	MT45W1MW16PDGA-70	70ns	-40~85℃	--	暂无
16M	1.7V--1.95V	MT45W1MW16BDGB-701	70ns	-40~85℃	--	暂无