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APmemory

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更新时间:2021-12-31 15:03:20浏览次数:211次

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伪静态存储器(ParrallelpSRAM)的设计是用于直接替代静态随机存储器(SRAM),即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器(PSRAM)及铁电随机存储器(FRAM)。PSRAM针对慢速SRAM应用;当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM(即BBSRAM)应用,在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是......
Density Organization Part Number Data rate Voltage Temperature(°C) Commercial Temperature(°C) Industry KGD Status PDF下载
256Mb x16 ADMUX APS256 333 1.8 -40~85 -40~105 Y M 暂无
128Mb x16 ADMUX APS128 333 1.8 -40~85 -40~105 Y M 暂无
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