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英飞凌IGBT模块 FZ3600R12HP4

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具体成交价以合同协议为准

产品型号FZ1800R12KL4C

品牌英飞凌/Infineon

厂商性质经销商

所在地北京市

更新时间:2021-06-11 14:48:53浏览次数:438次

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英飞凌IGBT模块 FZ3600R12HP4绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

英飞凌IGBT模块 FZ3600R12HP4

英飞凌IGBT模块 FZ3600R12HP4

英飞凌IGBT模块 IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。

英飞凌IGBT模块 IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。

IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。

1.一单元/600V IGBT:

BSM200GA60DN2

BSM200GA60DLC

BSM300GA60DN2

BSM300GA60DLC

BSM400GA60DN2

BSM400GA60DLC

FZ300R06KE3

FZ400R06KE3

FZ600R06KE3

FZ800R06KE3

2.一单元/1200V IGBT:

BSM200GA120DN2

BSM300GA120DN2

BSM400GA120DN2

BSM200GA120DL

BSM300GA120DL

BSM400GA120DL

BSM200GA120DN2S

BSM300GA120DN2S

BSM400GA120DN2S

BSM200GA120DN2SE3256

BSM300GA120DN2SE3256

BSM400GA120DN2SE3256

BSM200GA120DN2FSE3256

BSM300GA120DN2FSE3256

BSM400GA120DN2FSE3256

BSM200GA120DN2C

BSM300GA120DN2C

BSM400GA120DN2C

FZ1200R12KF4

FZ2400R12KF4

FZ1800R12KF4

FZ1600R12KF4

FZ300R12KE3G

FZ400R12KE3

FZ600R12KE3

FZ800R12KE3

FZ1200R12KE3

FZ3600R12HP4

FZ2400R12HP4_B9

FZ1800R12HP4_B9

FZ2400R12HP4

FZ1600R12HP4

FZ1200R12HP4

FZ900R12KP4

FZ900R12KE4

FZ600R12KE4

FZ400R12KP4

FZ400R12KE4

FZ3600R12KE3

FZ2400R12KE3_B9

FZ2400R12KE3

FZ1600R12KE3

FZ1200R12KE3

FZ600R12KE3B1

FZ800R12KS4_B5

FZ2400R12KL4C

FZ1800R12KL4C

FZ1600R12KL4C

FZ1200R12KL4C

FZ800R12KL4C

FZ2400R12KF4

FZ1800R12KF4

FZ1600R12KF4

FZ1200R12KF4

FZ800R12KF4

FZ800R12KF4_S1

FZ1000R12KF4_S1

FZ1200R12KF4_S1

FZ1800R12KF4_S1

FZ800R12KF4S1

FZ1000R12KF4S1

FZ1200R12KF4S1

FZ1800R12KF4S1

FZ600R12KS4

FZ800R12KS4

FZ900R12KF5

FZ1200R12KF5

FZ800R12KF1

FZ1000R12KF1

FZ1200R12KF1

FZ1000R12KF5

FZ1000R12KF4

FZ1600R12KF1

“富士IGBT”“富士IGBT

2MBI150NC-120、2MBI150SC-1

英飞凌IGBT模块FZ3600

英飞凌IGBT模块FZ3600R17KE1i IG

英飞凌IGBT模块 FZ360

英飞凌IGBT模块 FZ3600R12HP4绝缘栅

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