英飞凌IGBT模块FZ3600R17KE1i

英飞凌IGBT模块FZ3600R17KE1i
FZ3600R17KE1i英飞凌模块 IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，BSM200GA170DN2S_E3256
BSM200GA170DLC
BSM200GA170DN2
BSM300GA170DLC
BSM300GA170DN2
BSM300GA170DN2S
BSM300GA170DN2S_E3256
BSM400GA170DN2S_E3256
BSM400GA170DN2S
BSM400GA170DN2
BSM400GA170DLC
FZ3600R17HP4
FZ3600R17HP4_B2
FZ2400R17HP4_B9 FZ2400R17HP4_B29
FZ1800R17HP4_B9

FZ3600R17KE1i英飞凌模块
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4
FZ2400R17HP4_B2
FZ1600R17HP4
FZ1600R17HP4_B2
FZ1200R17HP4
FZ1200R17HP4_B2
FZ600R17KE4
FZ400R17KE4
FZ3600R17KE4
FZ3600R17KE3_B2
FZ2400R17KE3_B9 FZ1800R17KE3_B9
FZ2400R17KE3
FZ1600R17KE3
FZ1600R17KE3_B2
FZ1200R17KE3
FZ1200R17KE3_B2
FZ800R17KE3
FZ600R17KE3
FZ400R17KE3
FZ2400R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ1200R17KF6C_B2
FZ800R17KF6C_B2
FZ300R17KE3G FZ800R16KF1
FZ800R16KF4

FZ1000R16KF1
FZ1000R16KF4
FZ1200R16KF1
FZ1200R16KF4
FZ1800R16KF4
FZ800R16KF4_S1
FZ1000R16KF4_S1
FZ1200R16KF4_S1
FZ1800R16KF4_S1
FZ800R16KF4S1
FZ1000R16KF4S1
FZ1200R16KF4S1
FZ1800R16KF4S1
4.两单元(2U)/600V IGBT：
BSM50GB60DLC
BSM50GB60DN2
BSM75GB60DN2
BSM75GB60DLC
BSM100GB60DN2
BSM100GB60DLC
BSM150GB60DN2
BSM150GB60DLC BSM200GB60DN2
BSM200GB60DLC
BSM300GB60DN2
BSM300GB60DLC

BSM400GB60DN2
BSM400GB60DLC
FF200R06KE3
FF300R06KE3 FF400R06KE3
FF600R06KE3
FF600R07ME4 B11
FF450R07ME4 B11
FF300R07ME4 B11
FF400R07KE4
FF300R07KE4
FF600R06ME3 FF450R06ME3
FF400R06KE3
FF300R06KE3
FF300R06KE3_B2
FF200R06KE3
FF200R06YE3
FF800R06KF1