智能制造网>产品库>工业安全（老分类）>电力电子>IC>>SiC|GaN第三代半导体静态参数测试系统

SiC|GaN第三代半导体静态参数测试系统

参考价	¥ 1000
订货量	≥1台

具体成交价以合同协议为准

公司名称武汉普赛斯仪表有限公司
品牌普赛斯仪表
型号PMST-3500V
所在地武汉市
厂商性质生产厂家
更新时间2023/2/15 16:45:41
访问次数448

产品标签:

功率器件测试平台静态参数测试大电流高电压测试第三代半导体测试平台半导体功率器件测试

在线询价收藏产品进入展商展台

联系方式：陶女士18140663476 查看联系方式

联系我们时请说明是智能制造网上看到的信息，谢谢!

索取相关资料

公司介绍主营产品

武汉普赛斯仪表有限公司是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司，一直专注于半导体的性能测试仪表的开发、生产与销售，致力于满足半导体领域从材料、晶圆到器件测试用科学仪器的国产替代需求。

基于普赛斯电子岭先的光学与光电技术、微弱信号处理与抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法与系统集成等技术平台优势，公司自主研发了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等国产化电性能测试仪表，以及mini LED测试系统、电流传感器测试系统、功率器件静态参数测试系统等。产品以其测试精度高、速度快、兼容性强、测试范围宽、可靠性高、操作简便以及快捷灵活的响应式服务等优势，广泛应用于新型半导体器件材料分析、半导体分立器件测试、集成电路测试、高校教学实训平台等应用；为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案，同时满足行业对测试效率、测试精度、供应链安全以及规模化的挑战。

普赛斯仪表自主研制的国产化数字源表，可作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。作为国内岭跑的半导体电性能测试仪表提供商，普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野，推出的产品已被国内通信巨图和多家之名半导体企业认可和应用，是为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。未来，公司将继续以“为客户提供醉优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨，朝着圈球半导体电性能测试仪表的岭跑者迈进。

展开显示更多内容

数字源表,脉冲恒流源,脉冲恒压源,高压源,大功率激光器老化系统,功率器件静态测试系统

产品简介在线询价

普赛斯SiC|GaN第三代半导体静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点

SiC|GaN第三代半导体静态参数测试系统产品信息

SiC|GaN第三代半导体静态参数测试系统特点

高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）；

大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；

高精度：支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试；

丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；

配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；

数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；

模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；

可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；

可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；

IGBT静态参数测试系统简介

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

系统组成

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，Z大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至皮安级漏电流；集电极-发射极，Z大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；Z高支持3500V电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率Z高支持1MHz。

系统参数

项目		参数
集电极-发射极	Z大电压	3500V
	Z大电流	6000A
	精度	0.10%
	大电压上升沿	典型值5ms
	大电流上升沿	典型值15us
	大电流脉宽	50us~500us
	漏电流测试量程	1nA~100mA
栅极-发射极	Z大电压	300V
	Z大电流	1A(直流)/10A(脉冲)
	精度	0.05%
	Z小电压分辨率	30uV
	Z小电流分辨率	10pA
电容测试	典型精度	0.5%
	频率范围	10Hz~1MHz
	电容值范围	0.01pF~9.9999F
温控	范围	25℃~150℃
温控	精度	±1℃