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SiC MOS功率器件测试机半导体功率测试设备

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  • 公司名称武汉普赛斯仪表有限公司
  • 品       牌普赛斯仪表
  • 型       号PMST-8000V
  • 所  在  地武汉市
  • 厂商性质生产厂家
  • 更新时间2024/5/27 9:24:36
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       武汉普赛斯仪表有限公司是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司,一直专注于半导体的性能测试仪表的开发、生产销售,致力于满足半导体领域从材料、晶圆到器件测试用科学仪器的国产替代需求。

       基于普赛斯电子岭先的光学与光电技术、微弱信号处理与抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法与系统集成等技术平台优势,公司自主研发了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等国产化电性能测试仪表,以及mini LED测试系统、电流传感器测试系统、功率器件静态参数测试系统等。产品以其测试精度高、速度快、兼容性强、测试范围宽、可靠性高、操作简便以及快捷灵活的响应式服务等优势,广泛应用于新型半导体器件材料分析、半导体分立器件测试、集成电路测试、高校教学实训平台等应用;为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案,同时满足行业对测试效率、测试精度、供应链安全以及规模化的挑战。

普赛斯仪表自主研制的国产化数字源表,可作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。作为国内岭跑的半导体电性能测试仪表提供商,普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野,推出的产品被国内通信巨图和多家之名半导体企业认可和应用是为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。未来,公司将继续以“为客户提供醉优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨,朝着圈球半导体电性能测试仪表的岭跑者迈进。

 


数字源表,脉冲恒流源,脉冲恒压源,高压源,大功率激光器老化系统,功率器件静态测试系统
SiC MOS功率器件测试机半导体功率测试设备集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
SiC MOS功率器件测试机半导体功率测试设备 产品信息

静态特性测试挑战

随着半导体制程工艺不断提升,测试和验证也变得更加重要。通常,主要的功率半导体器件特性分为静态特性、动态特性、开关特性。静态参数特性主要是表征器件本征特性指标,与工作条件无关的相关参数,如很多功率器件的的静态直流参数(如击穿电压、漏电流、阈值电压、跨导、压降、导通内阻)等。


功率半导体器件是一种复合全控型电压驱动式器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点:同时半导体功率器件的芯片属于电力电子芯片,需要工作在大电流、高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠性要求较高,这给测试带来了一定的困难。市面上传统的测量技术或者仪器仪表一般可以覆盖器件特性的测试需求,但是宽禁带半导体器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化镓)的技术却极大扩展了高压、高速的分布区间。如何精确表征功率器件高流/高压下的I-V曲线或其它静态特性,这就对器件的测试工具提出更为严苛的挑战。


更高精度更高产量

并联应用要求测试精度提离,确保一致性

终端市场需求量大,要求测试效率提高,UPH提升


更宽泛的测试能力
更宽的测试范围、更强的测试能力

更大的体二极管导通电压

更低的比导通电阻

提供更丰富的温度控制方式


更科学的测试方法

扫描模式对阈值电压漂移的影响

高压低噪声隔离电源的实现

高压小电流测量技术、高压线性功放的研究

低电感回路实现


柔性化测试能力

兼容多种模块封装形式

方便更换测试夹具

灵活配置,满足不同测试需求


PMST系列SiC MOS功率器件测试机半导体功率测试设备是武汉普赛斯正向设计,精益打造的高精密电压/电流测试分析系统,是一致能够提供IV,CV、跨导等丰富功能的综合测试系统,具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势,旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET.  BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试,并具有着越的测量效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。


针对用户不同测试场最的使用需求,普赛斯全新推出PMST功率器件静态参数测试系统、PMST-MP功率器件静态参数半自动化测试系统、PMST-AP功率器件静态参数全自动化测试系统三款功事器件静态参数测试系统。


SiC MOS功率器件测试机半导体功率测试设备


从实验室到小批量、大批量产线的全覆盖

从Si IGBT. SiC MOS到GaN     HEMT的全国盖

从晶圆、芯片、器件、模块到PM的全覆盖



SiC MOS功率器件测试机半导体功率测试设备特点

高电压、大电流

具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(Z大可扩展至10kV)

具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)


高精度测量

纳安级漏电流,  μΩ级导通电阻

0.1%精度测量

模块化配置

可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元


测试效率高

内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

支持国标全指标的一键测试


 扩展性好

支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具



硬件特色与性能优势

大电流输出响应快,无过冲

采用自主开发的高性能脉冲式大电流源、高压源,输出建立过程响应快、无过冲。测试过程中,大电流典型上升时间为15us,脉宽在50-500μs之间可调。采用脉冲大电流的测试方式,可有效降低器件因自身发热带来的误差。


高压测试支持恒压限流,恒流限压模式

采用自主开发的高性能高压源,输出建立与断开响应快、无过冲。在击穿电压测试中,可设定电流限制或者电压限值,防止器件因过压或过流导致损坏。



工作原理

传统测试系统的搭建,通常需要切换测试仪表和器件连接方式才能完成功率器件I-V和C-V整体参数测试,而PMST功率器件静态物数测试系统内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元,同时可灵活定制各种夹具,从而可以实现I-V和C-V全参数的一键化测试。只需要设置好测试条件,将器件故置在测试夹具中,就可以帮助您快速高效且晶准的完成测试工作。


SiC MOS功率器件测试机半导体功率测试设备






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