OH12AF锑化铟(InSb)霍尔元件
概述
型号:OH12AF 工作温度:-40~120℃ 封装:SOT143 包装:3000只/盘
锑化铟(InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成,以霍尔效应为工作原理,可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。
典型应用
检测磁性物质的旋转或者位置(用在无刷直流电机,无触点开关)
检测磁场(如无接触电流传感器等)
极限参数 (Ta=25℃)
参数 | 符号 | 量值 | 单位 |
输入电流 | Imax | 20 (at 25℃) | mA |
功耗 | Pmax | 150 (at 25℃) | mW |
工作温度范围 | Top | -40 ~+120 | ℃ |
储藏温度范围 | Tst | -40 ~+150 | ℃ |
参数 | 符号 | 检测条件 | 最小值 | 值 | 单位 |
霍尔输出电压 | VH | Vin=1V, B=500G(恒压) | 266 | 320 | mV |
输入电阻 | Rin | I=0.1mA | 240 | 550 | Ω |
输出电阻 | Rout | I=0.1mA | 240 | 550 | Ω |
不等位电压 | Vo | Vin=1V, B=0G | -7 | +7 | mV |
输出电压的温度系数 | αVH | Ta=0~40℃ AVG. | - | -1.8 | % /℃ |
输入输出电阻的温度系数 | αRi | Ta=0~40℃ AVG. | - | -1.8 | % /℃ |
※ 霍尔输出电压VH为实测值减区VO值,即VH=VHM-VO,
(VHM : 在500GS下测得的输出电压值)
OH12AF.pdf