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IGBT动态参数测试仪生产厂商 IGBT双脉冲测试系统
| 品牌 : | 天光测控 | 型号 : | TRd 2015 |
| 加工定制 : | 是 | 类型 : | 电参数测试仪 |
| 测量范围 : | 电压2000V，电流1500A | 精确度 : | 正负1%精度 |
| 仪表尺寸 : | 800*600*1800 | 适用范围 : | 在线检修，来料检验，失效分析 |
| 仪表重量 : | 100kg | 工作电源 : | 220V |
| 规格 : | IGBT动态参数测试仪 | 测量精度 : | 正负%1精度测量 |
| 功率 : | 300W | 频率 : | 50Hz |
IGBT动态参数测试仪生产厂商
产品详情
天光测控大功率IGBT测试系统设备主要针对IGBT及MOS管的测试仪，适用于芯片设计，产线封装测试及新能源汽车，风力发电，地铁交通等领域的大功率器件及模块测试，设备模块化程度高，测试稳定性及测试精度在客户端已经广泛使用。可以根据就用户需求进行定制。
测试系统以2000A为一个电流模块,以1500V为一个电压模块，电流电压可升级；
1范围
天光测控大功率IGBT测试系统技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的优质产品。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不*时，应按较高标准执行。
2应遵循的主要现行标准
天光测控大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪，功率半导体模块测试系统的设计、制造、检查、试验等遵循如下国内标准，但不限于以下标准。
GB 13869-2008 用电安全导则
GB19517-2004 国家电器设备安全技术规范
GB/T 15153.1-1998 运动设备及系统
GB 4208-2008 外壳防护等级（IP代码）（IEC 60529：2001，IDT）
GB/T 191-2008 包装储运图示标志
GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件
GB/T 2423 电工电子产品环境试验
GB/T 3797-2005 电气控制设备
GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用
GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则
GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制
GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器
GB/T 311.1 绝缘配合第1部分：定义、原则和规则
IEC 60747-2/GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管
IEC 60747-9:2007/GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBTs）
3技术要求
3.1整体技术指标
3.1.1 功能与测试对象
*1）功能
天光测控大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪，测试单元具备测试IGBT模块动态参数测试。具体测试参数及指标详见表格411。
*2）测试对象
被测器件主要IGBT模块。
3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标
天光测控大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪，测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足标准IEC60747-9以及IEC60747-2。如有其他需求，可自行定义。
以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。
1）图2 IGBT开通过程及其参数定义动态测试参数
IGBT的开通和关断波形及其相关参数的定义如图2、图3所示。
图2 IGBT开通过程及其参数定义
图3 IGBT关断过程及其参数定义
表格2 可测量的IGBT动态参数
参数名称 | 符号 | 参数名称 | 符号 |
开通延迟时间 | td(on) | 关断延迟时间 | td(off) |
上升时间 | tr | 下降时间 | tf |
开通时间 | ton | 关断时间 | toff |
开通损耗 | Eon | 关断损耗 | Eoff |
栅极电荷 | Qg | 拖尾时间 | tz |
短路电流 | ISC | / | / |
可测量的FRD动态参数
参数名称 | 符号 | 参数名称 | 符号 |
反向恢复电流 | IRM | 反向恢复电荷 | Qrr |
反向恢复时间 | trr | 反向恢复损耗 | Erec |
3.1.天光测控大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪反偏安全工作区参数及指标
主要参数 | 测试范围 | 精度要求 | 测试条件 |
Vce 集射极电压 | 150 3300V | 150 500V±3±1V；500 1000V±2±2V；1000 3300V±1±5V； | 150 3300V |
Ic 集射极电流 | 1 200A | 1 200A±3±1A； | 1 200A |
Vge 栅极电压 | -30V 30V | -30 0V±1±0.1V；0 +30V±1±0.1V | -30V 30V |
Qg 栅极电荷 | 400 20000nC | Ig: 0 50A±3±0.1mA; | 40020000nC |
td(on)、td(off) 开通/关断延迟 | 10 1000ns | 10200±2±2ns；2001000±2±5ns | |
tr、tf 上升/下降时间 | 10 1000ns | 10200±2±2ns；2001000±2±5ns； | |
Eon、Eoff 开通/关断能量 | 1 5000mJ | 1 50mJ±2±0.1mJ；50 200mJ±2±1mJ；200 1000mJ±2±2mJ；1000 5000mJ±1±5mJ； |
主要参数 | 测试范围 | 精度要求 | 测试条件 |
Vcc 二极管电压 | 50 3300V | 200 500V±3±1V；500 1500V±2±2V； | 200 3300V |
IRM 反向恢复电流 | 50 200A | 50 200A±3±1A； | 50 200A |
Qrr 反向关断电荷 | 1 20000μC | 50 200μC±3±1 μC；200 1000μC±3±2 μC；1000 5000μC±2±5 μC；5000 20000μC±2±10μC； | 1 20000μC |
trr 反向恢复时间 | 20 2000ns | 20100±3±1ns；100500±3±2ns； 5002000±2±5ns； | 20 2000ns |
Erec 反向关断能量损失 | 1 5000mJ | 1 50mJ±3±0.1mJ；50200 1000mJ±2±2mJ；1000 5000mJ±1±5mJ | 1 5000mJ |
3.1.4天光测控大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪保护安全功能
本测试单元应具备完善的保护功能，除可有效保护操作人员不受事故伤害外，还在发生故障时不会造成设备自身的较大损坏，通过采取更换小型部件的方式即可修复。保护功能包括但不限于如下功能：
l *高压测试前可选低压预测试验证系统安全及连接良好
l *完备的人身安全防护
l 测试结束电容自动放电
l 测试过程中短路保护（非短路测试）
l *被测器件防爆保护
3.2天光测控大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪测试单元组成
本测试单元包括动态参数测试部分，主要组成材料及其要求如下所示。
3.2.1 天光测控大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪动态参数测试部分主要材料清单
表格12动态参数测试部分组成
序号 | 组成部分 | 单位 | 数量 |
1 | 可调充电电源 | 套 | 1 |
2 | 直流电容器 | 个 | 8 |
3 | 动态测试负载电感 | 套 | 1 |
4 | 安全工作区测试负载电感 | 套 | 1 |
5 | 补充充电回路限流电感L | 个 | 1 |
6 | 短路保护放电回路 | 套 | 1 |
7 | 正常放电回路 | 套 | 1 |
8 | 高压大功率开关 | 个 | 5 |
9 | 尖峰抑制电容 | 个 | 1 |
10 | 主回路正向导通晶闸管 | 个 | 2 |
11 | 动态测试续流二极管 | 个 | 2 |
12 | 安全工作区测试续流二极管 | 个 | 3 |
13 | 被测器件旁路开关 | 个 | 1 |
14 | 工控机及操作系统 | 套 | 1 |
15 | 数据采集与处理单元 | 套 | 1 |
16 | 机柜及其面板 | 套 | 1 |
17 | 压接夹具及其配套系统 | 套 | 1 |
18 | 加热装置 | 套 | 1 |
19 | 其他辅件 | 套 | 1 |
3.3主要技术要求
3.3.1 天光测控大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪动态参数测试单元技术要求
3.3.1.1 环境条件
1) 海拔高度：海拔不超过1000m；
2) 温度：储存环境温度 -2060；
3) 工作环境温度： -540；
4) 湿度：20RH 至 90RH (无凝露，湿球温度计温度: 40以下)；
5) 震动：抗地震能力按7级设防，地面抗震动能力0.5g；
6) 防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
3.3.1.2天光测控大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪
天光测控大功率IGBT测试系统设备主要针对IGBT及MOS管的测试仪，适用于芯片设计，产线封装测试及新能源汽车，风力发电，地铁交通等领域的大功率器件及模块测试，设备模块化程度高，测试稳定性及测试精度在客户端已经广泛使用。可以根据就用户需求进行定制。天光测控专业提供动态参数测试|IGBT测试仪|雪崩能量测试仪|IPM测试仪|分立器件测试系统。
