尽管台积电过去几年在7nm、5nm、4nm等先进工艺上占尽优势,但是三星一直在努力追赶,3nm节点将成为三星的一次关键,韩国媒体称三星将在下周宣布3nm工艺量产,进度将领先台积电。
据韩联社消息,接近三星的消息人士称,三星计划在6月最后一周宣布量产3nm工艺的消息,届时三星将会成为全球第一个量产3nm工艺的半导体厂商,台积电的3nm计划是2022年下半年量产。
5月底,美国总统参观了三星位于平泽市附近的芯片工厂,这里是目前全球唯一一个可以量产3nm工艺的晶圆厂,三星首次公开了3nm工艺制造的12英寸晶圆,不过具体是哪款芯片还不得而知。
根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。
原标题:功耗降低50% 性能提升35% 三星3nm工艺下周量产
版权与免责声明:凡本网注明“来源:智能制造网”的所有作品,均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-智能制造网合法拥有版权或有权使用的作品,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的,应在授权范围内使用,并注明“来源:智能制造网”。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。
本网转载并注明自其它来源(非智能制造网)的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或和对其真实性负责,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品第一来源,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
我要评论