突破存储芯片发展四大掣肘 国产化之路将迎新契机

　　【中国智能制造网 智造快讯】2015年以来，伴随着大陆在集成电路产业发展的高度关注与持续投入，大陆IC产业链结构正日趋完善，各产业链环节调控效果初显，尤其在晶圆制造端，浩浩荡荡的各路大军纷纷登陆中国，国内厂商积极重组扩张，在此期间，中国存储芯片产业也经历了从无到有的重要历程。　　当前，我国笔记本、智能手机出货量均居首位。华为、联想等厂商崛起，以及阿里巴巴、腾讯、百度等互联网厂商带动数据中心爆发，使得国产厂商对存储需求量巨大。相关数据显示，2015年大陆DRAM采购规模估计为120亿美元、NANDFlash采购规模为66.7亿美元，各占DRAM和NAND供货量的21.6%和29.1%。
　　
　　四大特征致使国产化发展艰难
　　
　　虽然前景可期，但当前我国存储芯片仍面临技术差距大、行业市场集中度高、周期性强、资金投入大四大特征，这也致使我国存储芯片国产化任务艰巨，国内单一企业力量难以攻克。
　　
　　技术差距大。目前，各家存储厂商对3DNAND的制造工艺都十分保密。当前国内NANDFLASH、DRAM制造技术基本处于缺失状态。此外，知识产权是芯片行业竞争的利器，但目前存储芯片几乎都被巨头垄断，无论是武汉新芯，还是福建晋华，其技术均是依托技术授权合作。
　　
　　行业市场集中度高。以DRAM市场为例，1970年代起步时候大约40-50家，1990年代末还有14家，到2004年只剩下5家实力较为突出，而如今仅3家就占据市场90%的份额，已经成了Samsung、SKHynix、Micron寡头垄断的竞争格局。
　　
　　周期性强。当存储行业处于景气高涨期，资金充裕时，一家存储厂商进行产能扩充或者工艺升级，不断形成了恶性扩产的现象，导致产能过剩，行业萧条来临。而当行业处于萧条期时，各大厂商便开始压缩产能，行业供需关系反转，价格上升，景气度开始上扬。
　　
　　资金投入量大。根据数据显示，在2015年各半导体公司的资本支出预算中，Samsung资本支出预算151亿美元，同比增长13%；SKHynix资本支出51亿美元，同比增长12%；Micron资产支出38亿美元，同比增长186%；其它存储厂商资本支出20亿美元，同比增长43%。2015年，存储行业是整体半导体资本支出高的领域，占比达到38%，资金投入量很大。
　　
　　海外资本输出放缓 大陆企业迎良好契机
　　
　　目前，海外企业在存储器领域资本输出放缓，产出也会相应减少，这为大陆企业带来良好契机。充沛的资金支持和巨大的内需市场，以及业已形成的本土化集成电路产业生态，为国内企业进军存储器芯片领域提供了发展基础。未来五到十年内，大陆企业有机会与世界行业巨头平起平坐。
　　
　　但不容忽视的是，存储器芯片面临高技术壁垒和激烈的化竞争。为此，国内企业在当前新形势下发展存储器产业，不应只是简单追赶，而要更加注重技术原创和市场创新；应做好长期准备，在资金上确保持续投入；另外，更为关键的是，要在立足自身市场特点的基础上追求水平。此外，存储芯片国产化是一项艰巨的工程，除了资金支持外，政府应当从人才到产业链配套等领域全面持续加大对存储芯片产业的支持。
　　
　　银河证券电子行业分析师王莉表示，存储芯片作为国家存储信息安全关键抓手之一，一旦国产厂商能够生产制造性能优越的存储芯片，政府将引导众多厂商采购国产存储存储芯片，其国产替代空间巨大。
　　
　　可以预见，中国在布局存储芯片产业的步伐将会越来越快，大陆存储芯片产业的“炮台”已经搭起，“弹药”及所有准备工作正紧张有序开展，一旦中国拥有先进Flash和DRAM产品生产能力并实现自给自足时，存储芯片的供需体系将被重新洗牌，相信对世界几大寡头来说势必会是一场血雨腥风。