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深圳瑞兆来科技有限公司
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| 封装 | TO-263-7 | 批次 | 2201+/2209+ |
|---|
IRFS7530TRL7PP 是一款60V单N沟道HEXFET® 功率MOSFET, 采用Trench MOSFET技术实现极低的导通电阻和快速开关性能。StrongIRFET™ HEXFET® 功率MOSFET适用于电池供电电路, 同步整流器应用, 半桥和全桥拓扑。
7针D2 Pak封装中的60V单N沟道HEXFET功率MOSFET
针对分销合作伙伴提供的广泛的可用性进行了优化
根据JEDEC标准进行产品鉴定
针对10 V栅极驱动电压进行了优化（称为正常电平）
硅优化用于低于100 kHz的切换应用
与上一代硅相比，更柔软的体二极管
行业标准表面安装电源组件
与D2PAK（相同模具尺寸）相比，额定电流更高（23%）
高载流能力封装（高达240 A，取决于芯片尺寸）
品牌： | INFINEON |
型号： | IRFS7530TRL7PP |
封装： | TO-263-7 |
安装类型： | 表面贴装型 |
封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） |
类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
制造商： | Infineon Technologies |
FET 类型： | N 通道 |
漏源电压（Vdss）： | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 240A（Tc） |
驱动电压（Rds On）： | 6V，10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻： | 1.4 毫欧 @ 100A，10V |
不同 Id 时 Vgs(th)： | 3.7V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)： | 354 nC @ 10 V |
Vgs： | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)： | 12960 pF @ 25 V |
功率耗散： | 375W（Tc） |
工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
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