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深圳瑞兆来科技有限公司
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| 封装 | TO-220 | 批号 | 2105+ |
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英飞凌反激式拓扑产品
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。
客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS™ P7 在诸多方面成为目标应用的选择：
• 效率和热性能
• 使用方便
• 电磁干扰行为
特征描述
• 极低 FOM R DS(on) x E oss；更低 Q g、E on 和 E off
• 高性能技术
o 低开关损耗 (E oss)
o 高效率
o 优异的热性能
• 支持高速开关
• 集成保护齐纳二极管
• V (GS)th 优化至 3V，±0.5V 窄容差
• 成熟的产品组合
优势
• 成本具竞争力的技术
• 与 C6 技术相比，效率增益高达 2.4%，器件温度低 12K
• 更高开关速度实现更高效率增益
• 更低的 BOM 成本缩减磁性元件尺寸
• 高 ESD 稳健性，达到 HBM 2 级水平
• 轻松驱动和设计导入
• 支持更小的外形规格和更高的功率密度设计
• 优良产品的选择
潜在应用
• 充电器
• 适配器
• 电视
• 照明
• 音频
• 辅助电源
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