详细摘要： 英飞凌反激式拓扑产品顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用...
产品型号：IPA70R600P7S所在地：深圳市更新时间：2022-06-21 在线留言PLC 工控机 嵌入式系统 人机界面 工业以太网 现场总线 变频器 机器视觉 DCS PAC/PLMC SCADA 工业软件 ICS信息安全 无线通讯 机箱机柜
深圳瑞兆来科技有限公司
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详细摘要： 1200 V，8 A 硬开关 TRENCHSTOP™ 第三代 IGBT，与定续流二极管联合封装到 TO247封装中，结合沟槽栅和场终止概念，显著改善...
产品型号：IKW08T120所在地：深圳市更新时间：2022-06-21 在线留言
详细摘要： IR MOSFET系列功率MOSFET采用经验证的硅工艺，为设计师提供了广泛的设备组合，以支持各种应用，如直流电机、逆变器、开关电源、照明、负载开关以及电池供电...
产品型号：IRFP260MPBF所在地：深圳市更新时间：2022-06-21 在线留言
详细摘要： IGBT(Iulated Gate Bipolar Traistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控...
产品型号：IKW15N120T2所在地：深圳市更新时间：2022-06-21 在线留言
详细摘要： FET类型：N 通道漏源电压（Vdss）：600 V漏极电流(Id)：12 A漏源导通电阻(RDS On)：280 mΩ耗散功率：53 W配置类型：Single...
产品型号：IPD60R280P7S所在地：深圳市更新时间：2022-06-10 在线留言
详细摘要： -55V 单个 P 通道 IR MOSFET, 采用 D-Pak 封装IR MOSFET系列功率MOSFET采用经验证的硅工艺，为设计师提供了广泛的设备组合，以...
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详细摘要： Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的...
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详细摘要： 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移...
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详细摘要： 电子管-场效应管-IRFS7440TRLPBF-infineo英飞凌-TO-263功能概述针对分销合作伙伴提供的广泛的可用性进行了优化根据JEDEC标准进行产品...
产品型号：IRFS7440TRLPBF所在地：深圳市更新时间：2022-06-09 在线留言
详细摘要： 60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
产品型号：IRFS7537TRLPBF所在地：深圳市更新时间：2022-06-09 在线留言
详细摘要： 75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 7 (TO-263-7)引脚封装，它基于*的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具...
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