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深圳瑞兆来科技有限公司
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| 封装 | TO-247 | 批号 | 21+ 2106+ |
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见.
1200 V IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装
1200 V，15 A 硬开关 TRENCHSTOP™ 第四代 IGBT，与定续流二极管联合封装到 TO-247 封装中，结合沟槽栅和场终止概念，显著改善器件静态及动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合，进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化，实现高效率。
特征描述
• 低 VCEsat 压隆，降低传导损耗
• 低开关损耗
• VCEsat 具备正温度系数，实现轻松并联开关能力
• 极软、快速恢复防并联发射极控制二极管
• 高稳健性和温度稳定性
• 低 EMI 排放
• 低栅极电荷
• 参数分布非常紧凑
优势
• 高效率 – 低传导和开关损耗
• 丰富的 600 V 和 1200 V 产品组合，支持灵活设计
• 器件高可靠性
应用领域
• 不间断电源（UPS）
• 电机控制和驱动
• 太阳能系统解决方案
品牌： | INFINEON |
型号： | IKW15N120T2 |
制造商： | Infineon |
产品种类： | IGBT 晶体管 |
RoHS： | 是 |
封装 ： | TO-247 |
安装风格： | Through Hole |
配置： | Single |
集电极—发射极电压 VCEO： | 1200 V |
集电极—射极饱和电压： | 2.2 V |
栅极/发射极电压： | 20 V |
在25 C的连续集电极电流： | 30 A |
Pd-功率耗散： | 235 W |
工作温度： | - 40 C + 175 C |
系列： | Trenchstop IGBT3 |
集电极连续电流 Ic： | 30 A |
栅极—射极漏泄电流： | 600 nA |
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